2.1半导体的基本知识汇编.ppt

模拟电子技术基础 2 半导体二极管及基本电路 这一章的重点： (1） 什么是PN结？ （2）PN结的单向导电性。 （3）二极管的构成及特性。 二极管模型及二极管电路的分析方法。 关键字(Key Word) 电子、空穴 、杂质半导体、 PN结及其单向导电性、二极管V-I特性。 分析方法 等效模型，静态与动态。 2.1 半导体的基本知识 1 半导体材料 2 半导体的共价键结构 3 半导体、空穴及其导电性 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 本征激发 当半导体受热或光照激发时，某些电子从外界获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，离开原子成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴。 4 杂质半导体 N型半导体 N型硅半导体共价键结构 P型半导体 P型硅半导体共价键结构 小 结 半导体本征激发只产生少量的电子-空穴对，空穴是半导体中的一种载流子。 P型杂质半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子； N型杂质半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 不管是P型还是N时型半导体，它们都是电中性的。 2.2 PN结的形成及特点1 半导体载流子的运动 载流子在电场作用下的漂移运动,形成漂移电流。 载流子在浓度梯度作用下的扩散运动，形成扩散电流。 2 PN结的形成 3 PN结的单向导电性 外加正向电压VF 什么是外加正向电 外加电压的正极接P区一 侧，负极接N区一侧，称 为PN结外加正向电压， 又称正向偏置。 特点： 空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多数载流子的扩散, 多数载流子的扩散通过回路形成正向电流IF。 在外加正向电压增加到一定值后，外加正向电压只要有微小变化，就能使正向电流发生显著变化。 正向偏置时，PN结呈现一个很小的电阻。 3 PN结的单向导电性 (2) 外加反向电压VR 什么是外加反向电 外加电压的正极接N区 侧，负极接P区一侧，称 为PN结外加反向电压， 又称反向偏置。 特点 空间电荷区变宽，扩散电流趋于零，有利于少数载流子的漂移 ,称为反向电流，其数值很小，一般为微安（?A）数量级。 温度一定时，少数载流子浓度将不变，因此反向电流几乎不随外加电压而变化，故又称为反向饱和电流，用IR表示。 反向偏置时，PN结呈现很大的反向电阻。 3 PN结的V-I特性 什么是PN结的V-I特性 加到PN结两端的电压vD与流过PN结的电流iD之间的关系称之为PN结二的伏安特性，它可用V-I曲线来表示。（图中用二极大管曲线表示） 伏安特性表达式： * * 华中科技大学 电子与信息工程系 主讲 吴鸿修 教授 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。目前，用来制造半导体器件的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs）。 硅和锗都是四价元素，其核外层有四个价电子。 半导体的重要特性 (1)在本征半导体中自由电子和空穴总是成对产生，其自由电子-空穴对随温度的增高而显著增加。 (2)空穴的导电作用。 常在本征半导体中掺入微量的杂质，以使得半导体的导电性能发生显著变化，这类半导体称为杂质半导体。 在硅(或锗)的晶体内掺入五价元素杂质，如磷(或锑)等。 由于磷原子在硅晶体中给出一个多余电子，故称磷为施主原子。 这类半导体将以自由电子导电为主，因此自由电子称为多数载流子(简称多子)，而空穴称为少数载流子(简称少子)。 在硅(或锗)的晶体内掺入三价元素杂质，如硼(或铟)等。由于硼原子在硅晶体中能接受电子，故称硼为受主杂质，或P型杂质。这类半导体将以空穴导电为主，因此空穴为多数载流子(多子)，而自由电子为少数载流子(少子)。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡形成PN结。 多子的扩散运动? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 结论：对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 几个术语：内电场、阻档层、势垒、接触电位差 iD：流过PN结的电流；vD： PN结两端的外加电压；IS：反向饱和电流，VT：温度电压当量，当T=300K时，VT =0.026