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可 靠 性 知 识 试验名称 英文简称 常用试验条件 备注 易焊性 Solder ability 235℃ 此试验为槽焊法,试验后在10-40倍显微镜下看管脚的上锡面积 耐焊接热 SHT 260℃ 10±1S 模拟焊接过程对产品的影响 高温反偏 HTRB 125℃,Vcb=(0.7-0.8)*BVcbo,168hrs 主要对产品的PN结进行考核 高加速应力测试 HAST 130℃/85%,96/192hrs 模拟高温高湿环境的影响 带偏压的高加速应力测试 Biased-HAST 偏置时130℃/85%,96/192hrs 模拟高温高湿环境带点偏置时的影响(一般不会,除非要求高) 可靠性常用术语 可靠性试验对应的缺点项目 试验项目 高压蒸煮 易焊性 高温高湿 温度冲击 高温存储 高温高湿偏置 高温偏置 回流热 缺点项目 芯片沾污 芯片腐蚀 密封性不良 连接腐蚀 镀层不良或沾污 芯片沾污 芯片腐蚀 密封性不良 球焊 芯片裂缝 芯片剥离 封装失效 芯片不良 (CP前后对Wafer检测 275 ℃) 接触不良 芯片沾污 芯片腐蚀 密封性不良 连接腐蚀 栅氧化缺点和离子污染 胶体设计不良 试验项目 间歇工作寿命/开开关关 湿阻 机械冲击 VFV可变频率振动 (军品/航空) 缺点项目 检查外来材料,芯片裂缝,金属化,装片,球焊的缺点 胶体材料中内腐蚀,沾污和胶体气密性 芯片和球焊,芯片裂缝,胶体缺点 芯片和球焊,芯片裂缝,胶体缺点 塑封料封装是非气密性封装 塑封料封装属于非气密封装,塑封料封装采用的塑封料和导电胶时有一定吸水率的材料,其吸水率通常在千分之几到千分之十几左右,产品吸收一定程度的湿气之后,在波峰焊或者红外线回流焊时,湿气在高温下迅速膨胀,从而产生产品内部的界面分层,导致连接线开路、芯片损伤等缺点,严重的造成胶体膨胀或裂开,即我们常说的“爆米花”效应。 一般来说回风炉温度由240℃变成260℃,则其蒸气压变成原来的2.12倍。 “爆米花”效应不是QFP产品特有的。SOP/SSOP/TSSOP等产品也因为吸湿经常产生。 对已经吸湿的产品使用前如何处理 对已经吸湿的产品进行烘烤,烘烤条件为。 1:低温器件容器在40℃+5℃/-0℃,5%RH下烘烤192小时。 如装在塑料管里的SOP产品。 2:对编带产品在65℃~80℃下烘烤48~72小时 3:高温器件容器在115℃~125℃下烘烤8小时。 如装在托盘里的QFP产品。 湿度指示卡 1:产品在密封袋内的寿命为:温度< 40℃, 湿度<90 ℃下的寿命为12个月。 2:密封袋开封后,需要进行波峰焊、回流焊等处理的按照下列条件进行: (1)在温湿度≤30℃/60%环境下168小时内使用. Level3的条件。 (2)在湿度<20%的环境下储存 3:若产品符合下列条件,使用前徐烘烤。 (1)温度为23±5℃,湿度指示卡的读数>10%. (2)不符合上面2项目的内容。 4:若要烘烤按照上一页内容进行烘烤。 塑封料对产品可靠性的影响 我们需要什么样的塑封料 高粘结力、低吸水率、高抗弯强度、PH值5.2~7.5、低卤素、低应力、高稳定性 1:对薄形而且面积大的产品要充分考虑塑封料的吸湿性带来的失效风险,以及塑 封料收缩带来的产品翘曲。 2:对芯片在塑封体内占的面积很大的时候,必须考虑到冲切等时候受的力很多直接 加到芯片上,塑封料的抗弯强度、模量要被考虑。 3:对散热要求高的产品更应充分考虑塑封料的散热系数、玻璃化温度与对低应力的 要求的均衡,事实上塑封料的高散热系数与低应力有时侯是矛盾的,必要是可以 采用添加了高散热材料的塑封料 4:数字通信的(高频率的)、功率的、电源调整的、CMOS(栅的厚度的与α1的要求有 直接关系) 、存储器类的等特殊要求要充分考虑 如何从工艺角度做到产品零分层—QFN时间控制 站别 控制项目 控制时间 超出控制时间措施 DB DB后到DB烘烤时间 4小时 烘烤后到WB时间 (WB前进行Plasma清洗) 镍钯金L/F:12小时 镀银框架:24小时 WB Plasma后到WB 金线产品12小时 铜线产品4小时 重新进行Plasma清洗,WB前不得清洗2次 产品上机后24小时内必须完成 24小时 放入氮气柜,重新加工前进行Plasma。 WB站停留的时间 24小时 WB到MD的时
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