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第二单元 集成电路芯片封装可靠性知识—郭小伟 （60学时） 第一章、可靠性试验 1．可靠性试验常用术语 试验名称 英文简称 常用试验条件 备注 －65℃~150 ℃, 试验设备采用气冷的方式，此 温度循环 TCT （T/C ） dwell15min, 温度设置为设备的极限温度 100cycles 121℃，100RH., 此试验也称为高压蒸汽，英文 高压蒸煮 PCT 2ATM,96hrs 也称为 autoclave －65℃~150 ℃, 此试验原理与温度循环相同， 热冲击 TST （T/S ） dwell15min, 但温度转换速率更快，所以比 50cycles 温度循环更严酷。 此试验有时是需要加偏置电压 85℃,85%RH., 稳态湿热 THT 的，一般为Vcb=0.7~0.8BVcbo, 168hrs 此时试验为 THBT 。 此试验为槽焊法，试验后为 易焊性 solderability 235 ℃,2 ±0.5s 10~40 倍的显微镜下看管脚的 上锡面积。 耐焊接热 SHT 260 ℃,10 ±1s 模拟焊接过程对产品的影响。 Vce=0.7Bvceo, 模拟产品的使用。（条件主要针 电耐久 Burn in Ic=P/Vce,168hrs 对三极管） 125℃, 主要对产品的 PN 结进行考核。 高温反偏 HTRB Vcb=0.7~0.8BVcbo, 168hrs Peak temp.240 ℃ 只针对 SMD 产品进行考核，且 回流焊 IR reflow （225 ℃） 最多只能做三次。 高温贮存 HTSL 150 ℃,168hrs 产品的高温寿命考核。 检测产品的内部离层、气泡、 超声波检测 SAT CSCAN,BSCAN,TSCAN 裂缝。但产品表面一定要平整。