基于等离子体增强化学气相沉积技术_省略_光电子器件多层抗反膜的设计和制作_袁贺.pdf

59 10 20 10 10 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 10 ，October 20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (10 )/7239-06 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件 多层抗反膜的设计和制作*  袁 贺 孙长征 徐建明 武 庆 熊 兵 罗 毅 ( ， ， ， 100084 ) 清华大学电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室 集成光电子学国家重点实验室 北京 (2009 8 26 ;20 10 2 3 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 ， (PECVD) 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求 研究了基于等离子体增强化学气相沉积 技术的多层抗反膜的 . ， SiN ， SiO / SiN PECVD 设计和制作 首先 对影响 x 折射率的因素进行了实验研究 确定了具有大折射率差的 2 x 材料的 . ， SiO / SiN ， 70 nm 10 － 4 沉积条件 根据理论计算分析 设计了四层 2 x 抗反膜结构 能够在 的波长范围内实现低于 的反 ， ± 5 nm ， 1550 nm 5 × 10 － 4 . ， F-P 射率 并且当单层膜厚度变化在 以内时 中心波长 处的反射率低于 根据计算结果 在 SiO / SiN . ， 1535— 1565 nm 激光器端面进行了 2 x 多层抗反镀膜的制作 对输出光功率谱的测试分析表明 在 范围内的 － 4 残余反射率达到了 10 量级. : ， ， / 关键词 抗反膜 等离子体增强化学气相沉积 二氧化硅 氮化硅多层膜 PACC :6 150 C ，6855 ，7865 K SiN . x 薄膜进行多层抗反镀膜的设计与制作研究 首 1. 引 言 先对影响SiNx 材料折射率的因素进行了实验研究，