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抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究
第 卷第 期 微 电 子 学 ,
45 4 Vol.45 No.4
年 月
2015 8 Microelectronics Au.2015
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抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究
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12 1 1 1
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陈 晨 陈 强 林 敏 杨根庆
( , ; , )
1.中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 上海 200050 2.中国科学院大学 北京 100049
: , 。
摘 要 在空间辐射环境下 存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强 通过比较 的单
SRAM
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粒子翻转效应相关加固技术 在传统 EDAC技术的基础上 增加少量硬件模块 有效利用双端口
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SRAM的端口资源 提出了一种新的周期可控定时刷新机制 实现了对存储单元数据的周期性纠
。 , ,
错检错 对加固SRAM单元进行分析和仿真 结果表明 在保证存储单元数据被正常存取的前提
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下 定时刷新机制的引入很大程度地降低了单粒子翻转引起的错误累积效应 有效降低了SRAM
出现软错误的概率。
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关键词 双端口 定时刷新 单粒子翻转 辐射加固
SRAM EDAC
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN406 A 1004-3365201504-0512-04
ResearchonPeriodicalRefreshofSEU-HardenedDual-PortSRAM
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12 1 1 1
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CHENChen CHENQian LINMin YANGGenin
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