第5章获取材料II.pptVIP

（2）是一种本征半导体材料，其光吸收系数比非本征半导体材料大得多； （3）热激发速率小； （4）有较小的电子有效质量、很高的电子迁移率、较低的本征载流子浓度和较小的介电常数； （5）热膨胀系数与硅接近。 这种材料的应用十分广泛，人们已研制出了光导型与光伏型探测器。 1. Hg1-xCdxTe材料的特点 40多年来，MCT晶体一直是最受重视的红外探测器材料。其薄膜材料制备采用了MBE和MOCVD技术。HgCdTe单晶的制备是比较困难的： 2.Hg1-xCdxTe材料的制备 （1）HgTe-CdTe赝二元系的相图中液相线与固相线之间有显著的差别； （2）熔体化学计量配比的偏离容易引起Te组元过剩； （3）汞蒸气压工艺控制困难； （4）晶体中Hg-Te的键合力弱； （5）晶体的径向组分均匀性明显依赖于固－液界面的形状。 （1）HgCdTe异质结材料 （2）HgCdTe双色与多色红外探测器材料 （3）以硅为衬底的HgCdTe薄膜材料 3. HgCdTe红外焦平面探测器薄膜材料 （1）CdTe晶体材料 主要的晶体生长工艺有：布里奇曼法、高压釜布里奇曼工艺和改进的控制蒸发技术。 （2）CZT晶体材料 用CZT材料作衬底外延MCT薄膜的优点是：“零失配”，利于优质薄膜的生长；它位错密度比CdTe晶体低一个数量级；衬底制备工艺要容易。 （3）CdTe和CZT薄膜材料 随着MCT FPA技术的发展，对MCT薄膜材料提出了大面积、组分均匀的要求，而作为衬底的材料，获得大面积单晶衬底相当困难。因此，人们利用先进的MBE技术，在大直径的CdTe、CZT基片上，生长了薄膜材料。 4. HgCdTe薄膜外延衬底材料 5.7 非制冷型红外探测器材料 　　由单晶小薄片的热电晶体所制成。具有自发极化特性，它在自然条件下，内部某些分子的正负电荷重心不重合，形成一个固有偶极矩，在垂直于极轴的两个端面上出现大小相等、符号相反的面束缚电荷。 　　当温度变化时，晶体中离子间的距离和键角发生变化，从而使偶极矩极化强度及面束缚电荷发生变化，结果造成过剩电荷，在垂直极轴的两个端面出现微小电压，当用导线连接时就会产生热电流。 　　 一、热释电红外探测器材料1.热释电红外探测器的工作原理 （1）响应率RV 　　定义： 2.性能参数分析 可见，当入射辐射的调制频率为零时，响应率也为零，这说明热释电探测器是一种交流器件。 （2）噪声、噪声等效功率和探测率 　　噪声主要包括温度噪声、热噪声和放大器噪声。 　　探测率为： 2.性能参数分析 非制冷型VO2热敏电阻焦平面探测器材料: 　　电阻灵敏度的温度系数： 　　对于半导体材料： 二、测微辐射热计红外探测器材料1. 工作原理 　　通常是以电桥电路形式工作的。 　　热敏电阻测辐射热计的信号公式： 1. 热敏电阻测辐射热计的工作原理 （1）响应率 　　可以看出，为了提高响应率，偏压E、电阻温度系数aT要大，G‘和H值要小。但偏压不能任意大，因为E大，偏流就大，元件的焦耳热也随之增大，噪声也大，一般取值在50微安左右。 （2）频率响应 　　热敏电阻测辐射热计的响应率可改写为： 2.热敏电阻测辐射热计的性能 （3）噪声和探测率 　　主要包括热噪声、温度噪声和1/f 噪声： 　　探测率为：　　只有热噪声和温度噪声起作用时： 2.热敏电阻测辐射热计的性能 作 业： 1、简述半导体光电效应的定义、分类和相应的物理过程。 2、根据光电发射的物理机制，论述光电发射过程主要是一种体积过程，并详述发射的三个相对独立的过程。 第五章　信息获取材料 信息功能材料 5.4 元素半导体光电材料 理想的晶体在绝对零度时存在一个空的导带，由一个禁带把导带与填满的价带隔开，随着温度上升，由于热激发而产生 n-p 对，引起导电势，这种性质叫做本征半导电性，电子和空穴具有相同的浓度： 一、Si 和 Ge 的结构特征和电学性质 1. 本征性质 典型的禁带宽度： Si 1.12 eV Ge 0.665 eV 四方面的特点： 理想的晶体是不存在的，由于实际半导体中化学杂质和结构缺陷或多或少为存在，影响平衡时电子和空穴的相对浓度。但是： 施主和受主相等浓度导致类似本征材料的状况。 杂质能级如果靠近相应能带边缘，则为浅位杂质，反之为深位杂质。前者是III族和V族的全部元素，后者有过渡金属等。 2. 非本征性质 热振动、杂质和结构缺陷是晶体周期的不完整性的三个方面。 缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。 点缺陷是集中在晶体中单点的结构缺陷，包括空位和填隙等； 线缺陷是沿着一条件集中的不完整性，也叫做位错，如：应力作用下产生的某些平面滑移等