变送器和转换器.ppt

第三章 变送器和转换器 第一节 概述 第二节 变送器的一般构成原则 第三节 差压变送器 第四节 差压变送器的应用实例 第五节 温度变送器 第六节 电气转换器 差动变压器的输入信号是位移变量d ，输出信号是两个副边线圈感生电压 和 的差动输出电压VCD，VCD = 。 由差动变压器的结构可知，副绕组1与原边绕组的绕制方向一致，则其输出电压 与原边励磁电压VAB同相位，而副绕组2的绕制方向与励磁绕组相反，则其输出电压 与励磁电压VAB反相。 差动变压器由原边线圈AB通以励磁电压 VAB 进行励磁。励磁电压由位移放大器的谐振电路提供。 注：差动变压器在位移放大器中，起到震荡三极管的反馈作用。正反馈还是负反馈与VCD与VAB的相位关系有关。 当d = δ/3 时， = ，VCD = 0； 当d δ/3 时， ，VCDO， VCD 和 VAB 同相； 当d δ/3 时， ，VCDO，VCD 和 VAB 反相； 2、位移放大器的振荡电路 振荡电路结构如图3-10所示。 由图3-10可知，差动变压器的原边线圈作为振荡管 T 的集电极负载，跨接在电容C1两边，与C1形成LC并联谐振电路，而两副边线圈接成差动后跨接在振荡管的基极和发射极上。 显然原边线圈的励磁电压是由振荡管的集电极输出的振荡电压提供，而副边线圈的差动输出电压作为振荡管 T 反馈电压。 原边线圈的励磁电压是否能保证提供，就要看振荡管是否能正常起振，并建立起稳定振荡。 而振荡管 T 的振荡条件则由差动变压器的副边输出电压与原边励磁电压的相位决定（决定两者时同相还是反相）。同时由前面差压变压器的分析可知，副边线圈输出电压与原边线圈的励磁电压相位关系，取决于衔铁的位移情况。 因此该振荡器是一个可控振荡器，控制变量是d。 （2）、依据差动变压器的分析结果可知： （1）、振荡管的起振基本条件是，由反馈电压与原边电压（负载电压）之间的幅值条件和相位条件决定的。其幅值条件在电路设计时，合理选择元件参数，一般就能满足，因此主要影响因素是相位条件（因为相位条件是随着衔铁位移而改变的）。若要振荡管产生振荡，必须满足幅边线圈的输出电压（反馈电压）的相位必须和原边励磁电压的相位完全相同（即产生正反馈）。 当d = δ/3 时， = ，VCD = 0； 当d δ/3 时， ，VCDO， VCD 和 VAB 同相； 当d δ/3 时， ，VCDO，VCD 和 VAB 反相； 下面来分析衔铁位移与原副边电压相位以及振荡管的起振条件之间的关系。 该振荡电路的反馈系数β=VCD/VAB是衔铁位移的函数，随着副杠杆的位移而变化： 当d = δ/3，β = 0；当 d δ/3，β 0,为负，形成负反馈。上述两种情况震荡器都不会产生振荡。 而当d δ/3 时， β 0,为正，形成正反馈，且随着 d 的减小。正反馈作用越来越强。此时振荡器具备了振荡（起振）条件。 进一步分析可知： 设 K 为晶体管 T 的电压放大倍数，则： 当衔铁靠近磁芯到某一位置 dt 时，必可获得足够的反馈系数 β0 = 1/K，使晶体管T建立起稳定的自激振荡； 当 d d t , Kβ0 1呈增幅振荡，持续该进程，将使振荡达到饱和振荡； 当 d d t , Kβ0 1呈减幅振荡，持续该进程，将使振荡完全停振。 图3-9 由此可知，振荡管起振的相位条件是：当d δ/3 时， ，VCD O， VCD 和 VAB 同相，形成正反馈（开始起振）。 进一步可知； 差压变送器的位移工作范围为： 0 d δ/3 第三节 温度变送器 功能：渝与各种热电偶和热电阻配合使用，将温度信号测量并转换成统一标准信号输出。 种类： 一、四线制温度变送器 （一）、概述 四线制温度变送器有如下特点： （1）、采用了线性化电路，从而使变送器的输出信号和被测信号（温度）成线性关系； （2）、为了达到防爆的目的，输入和输出之间采用了隔离变压器，采取了安全火花型防爆措施。 量程单元 放大单元 变送器总体机构如图3-31。 四线制的三种变送器都分为量程单元和放大单元两个部分。放大单元是通用的，量程单元则随品种和测量范围不同而不同。 在方框图中，空心箭头表示供电回路实心箭头表示信号通道。 Ui（毫伏级的电