基于Mueller矩阵椭偏仪的纳米压印模板与光刻胶光栅结构-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 18 (2014) 180701 基于Mueller矩阵椭偏仪的纳米压印模板与光刻胶 光栅结构准确测量∗ 陈修国 刘世元 张传维 吴懿平 马智超 孙堂友 徐智谋 1)(华中科技大学, 数字制造装备与技术国家重点实验室, 武汉 430074) 2)(华中科技大学材料科学与工程学院, 武汉 430074) 3)(华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074) ( 2014 年4 月2 日收到; 2014 年5 月5 日收到修改稿) 在纳米压印工艺中, 对模板和压印结构的几何参数进行快速、低成本、非破坏性地准确测量具有非常重要 的意义. 与传统光谱椭偏仪只能改变波长和入射角2 个测量条件并且在每一组测量条件下只能获得振幅比和 相位差2 个测量参数相比, Mueller 矩阵椭偏仪可以改变波长、入射角和方位角3 个测量条件, 而且在每一组测 量条件下都可以获得一个 阶Mueller 矩阵共16 个参数, 因此可以获得更为丰富的测量信息. 通过选择合 适的测量条件配置, 充分利用Mueller 矩阵中的测量信息, 有望实现更为准确的纳米结构测量. 基于此, 本文 利用自主研制的Mueller 矩阵椭偏仪对硅基光栅模板和纳米压印光刻胶光栅结构进行了测量. 实验结果表明, 通过对Mueller 矩阵椭偏仪进行测量条件优化配置, 并且在光学特性建模时考虑测量过程中出现的退偏效应, 可以实现压印工艺中纳米结构线宽、线高、侧壁角以及残胶厚度等几何参数更为准确的测量, 同时对于纳米压 印光刻胶光栅结构还可以直接得到光斑照射区域内残胶厚度的不均匀性参数. 关键词: 纳米压印, 纳米测量, Mueller 矩阵椭偏仪, 测量准确度 PACS: 07.60.Fs, 81.07.–b, 85.40.Hp, 06.20.–f DOI: 10.7498/aps.63.180701 级尺度的测量, 但其显著缺点是速度慢、成本高、设 1 引 言 备操作复杂、难以集成到制造工艺线上实现在线测 量. 与之相反, 光学测量方法如光学散射测量技术 纳米压印是一种利用模板将图形转移到衬底 (optical scatter ometry), 具有速度快、成本低、无接 1,2 触、非破坏和易于在线集成等优点, 近年来在纳米 上的批量化纳米制造工艺 . 由于具有加工简 单、分辨率高、生产效率高、成本低等优点, 纳米压 压印领域中获得了广泛的应用36 . 印目前已经成为半导体加工工艺中的重要方法之 传统光学散射测量技术采用光谱椭偏仪(spec- 一. 为了实现有效工艺监控, 在纳米压印过程中对 troscopic ellipsometry), 通过测量待测结构(一般 纳米结构的特征线宽、线高、侧壁角以及残胶厚度 为周期性结构) 零级衍射光在反射前后偏振状态的 等几何参数进行快速、低成本、非破坏性的准确测 变化 (即振幅比和相位差) , 然后将其与理论光学 量具有十分重要的意义. 目前, 对于纳米压印工艺 特性建模计算出来的振幅比和相位差相比, 进而从 中纳米结构几何参数测量的主要手段是扫描电子 中反演并提取出待测