场效应器件物理1-2CV3MOS原理.ppt

* * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(2) 衬底偏压 反型条件 耗尽层电荷 VSB0，源区电势能= -e（VD+VSB) * * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(4) VSB的存在使负的耗尽层电荷更多，VT增加，且VSB越大，VT越大 * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(5) * 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(6) * 1.3 MOSFET原理 背栅定义 衬底能起到栅极的作用，称“背栅” VBS改变了耗尽层和反型沟道层的电荷分配之比，从而控制了IDS。 VGS若不变，VBS变化，使耗尽层宽度变化，耗尽层电荷变化，反型沟道电荷变化，则漏电流变化。 * 1.3 MOSFET原理 衬底跨导 衬底跨导gmb：VGS和VDS为常数时，ID随VBS的变化率 * 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 衬底偏置效应的电位连接 P衬最低电位，n管阈值上升 N衬最高电位，p管阈值更负 衬底偏置效应对MOSFET的影响和物理过程 衬底“背栅”定义和物理过程 * END 据 * * 1.3 MOSFET原理 IV特性 共源连接NMOSFET：输入端：GS, 输出端：DS 输出特性 转移特性 偏置特点：VGSVTN,VDS0 沟道形成 形成沟道电流： 对VGS起抵消作用：沟道从源到 漏厚度渐? * 1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(1) 线性区 * 1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(2) 过渡区 * 1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(3) 饱和点 沟道夹断点X：反型层电荷密度刚好近似=0 VGX=VT,VXS=VDS(sat) * 1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(4) 饱和区 * 1.3 MOSFET原理 转移特性曲线 n沟道MOSFET p沟道MOSFET VGS VGS VGS 越大，沟道载流子越多，在相同的漏源电压VDS作用下，漏极电流ID越大。 反型层形成后，因反型层在G和B间起屏蔽作用，即VGS变，电荷由S和D提供，非衬底。 * 1.3 MOSFET原理 输出特性曲线 四个区： （I） 线性区： VGSVT, VDS(VGS-VT),可变电阻区 （压控电阻）。 （II）饱和区 ： VGSVT, VDS(VGS-VT) ，恒流区（压控电流源）。 （III）击穿区：反向偏置的漏衬结雪崩倍增而击穿。 （IV）截止区: VGSVT。 * 1.3 MOSFET原理 输出特性曲线簇 n沟增强型 n沟耗尽型 P沟在第3象限，越负电流越大 * 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 MOSFET基本结构、种类、横截面图、符号图 MOSFET基本工作原理 电流电压关系——定性物理过程 输出特性曲线四个区的划分 转移特性曲线三个区的划分 * 1.3 MOSFET原理 I-V特性:结构模型 p型衬底、n型沟道MOSFET 0 * 1.3 MOSFET原理 I-V特性:基本假设 沟道中的电流是由漂移而非扩散产生的 栅氧化层中无电流 缓变沟道近似（长沟器件），即垂直于沟道方向上的电场变化远大于平行于沟道方向上的电场变化，EX为常数 氧化层中的所有电荷均可等效为Si-SiO2界面处的有效电荷密度QSS` 沟道中的载流子迁移率与空间座标无关 忽略SD区体电阻和金属电极间的接触电阻，VDS完全降在沟道上。 * 高斯定理 相互抵消 E5=E6=0，即使有也相互抵消 E3＝0 表面所在材料的介电常数 某闭合表面 沿闭合表面向外法线方向的电场强度 该闭合表面所包围区域的总电荷量 1.3 MOSFET原理 I-V特性:表面电荷 * 1.3 MOSFET原理 I-V特性:氧化层电势 * 1.3