第1章 常用半导体器件-课件.pptVIP

例：电路如图所示，二极管导通电压UD约为0.7V。试分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。 半导体二极管的型号(补充) 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N型Si 2代表二极管，3代表三极管 例：在图示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA；负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。 例1：已知ui是幅值为10V的正弦信号，试画出ui和uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 例1分析 例2：已知ui是幅值为5V的正弦信号，试画出ui和uo的波形。设二极管正向导通电压UD=0.7V。 例2分析 例3：电路如图所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图，二极管导通电压UD=0.7V。试画出输出电压uo的波形，并标出幅值。 例3分析 思考1：已知电路中稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA。（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值。（2）若UI=35V时负载开路，则会出现什么现象？为什么？ 半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。 例一：现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如表所示，各晶体管b-e间开启电压Uon均为0.5V。试分别说明各管子的工作状态。 例二：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的参数如表所示，请选用一只管子，并简述理由。 例三：分别判断图示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 例四：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为100和50，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 例五：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 例六：电路如图所示，晶体管导通时UBE=0.7V， β=50。试分析uI为0、1V、1.85V三种情况下晶体管的工作状态及输出电压uo的值。 方法二（常用于解题） 即uDSuGS – UGS(off)时，当uDS为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。此时，可以通过改变uGS来控制iD的大小。由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电压控制元件。与晶体管用β来描述动态情况下基极电流对集电极电流的控制作用相类似，场效应管用gm来描述动态的栅-源电压对漏极电流的控制作用， gm称为低频跨导。 例一：已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。 例二：电路如图所示，其中管子T的输出特性曲线亦如图所示。试分析uI为0、8V和10V三种情况下场效应管分别工作在什么区域，并求出uo值。 例三：电路如图所示，场效应管的夹断电压UGS(off)= －4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。试问：为保证负载电阻RL上的电流为恒流，RL的取值范围应为多少？ 例四：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区）。 例五：分别判断图示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 三、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区