斜切蓝宝衬底MOCVD长GaN薄膜的电研-物理学报.PDF

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2017-06-25 发布于天津
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斜切蓝宝衬底MOCVD长GaN薄膜的电研-物理学报

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 18 (2012) 186103 MOCVD GaN * † ( , , 710071 ) ( 2011 11 23 ; 2012 3 20 ) MOCVD 0.3◦ c GaN , . GaN , 0.8 µm , . , GaN , GaN . : GaN, , , PACS: 61.72.Ff, 68.37.Lp GaN , , . 1 GaN , GaN , GaN . GaN [8,9] , GaN , . [1−3] . GaN , , (TEM) GaN GaN , GaN , GaN . GaN , 0.8 µm , 108 − 1012/cm2[4] . GaN , GaN , GaN , GaN GaN . X [5,6] . (HRXRD) GaN , GaN (ELOG)[7], . , GaN . , ELOG 2 , . , GaN MOCVD * (973 )(: 2011CBA00600) (: 2008ZX01002-002) (: (: K50511250002). E-mail: linzhiyu14051@163.com c 2012 Chinese Physical Society 186103-1 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 18 (2012) 186103