直流辉光放电等离子体阴极鞘层的数值模拟 - 复旦大学物理教学实验.PDF

直流辉光放电等离子体阴极鞘层的数值模拟 徐国强 （复旦大学材料科学系 上海） 摘要：本文通过流体模型对直流辉光放电等离子体阴极壳层进行了模拟，模拟结果揭示 了电子、离子浓度以及电子温度在阴极鞘附近的局部变化规律，与实验中观察到的负辉区的 现象相符合；同时，还通过模拟再现了正离子在阴极附近的聚集行为与成鞘过程，与理论分 析有很好的契合。 关键词：等离子体 数值模拟 流体模型 阴极鞘层 引言 低温等离子体由于具有对所处理的表面低渗透、低损害等特性，使其在医疗 [1]、材料制备[2-3]、表面处理[4]等方面得到广泛的应用。加深对等离子体系 统的本质的理解，有助于获得最优化的生产条件以及设计新的处理方法等。但是， 由于等离子体系统中存在：（1）中性分子、离子及电子在电磁场中的运动，（2） 它们之间的激发、电离、复合、弹性碰撞的相互作用，（3）以及他们与外部电磁 场的耦合和在边界上二次电子激发等极其复杂的物理化学现象，使得等离子体系 统的一些现象无法通过一个统一的数学解析理论进行再现与解释。尽管如此，近 五十年来，随着计算机技术的进步与高效稳定的计算方法的发展，等离子体系统 的数值模拟成为可能并取得长足进展[5]。 流体模型和粒子模型在等离子体模拟中得到广泛的应用[6]。流体模型忽略 粒子的个体行为，而用他们动量、能量的统计平均值对等离子体系统进行描述， 因而流体模型适用于系统中粒子处于近平衡态的情形，当粒子处于低气压、强电 场等远离平衡态的条件下时，流体模型的应用受到限制[7-9]。粒子模型通过追 踪每个粒子的在电磁场中的运动来模拟等离子体系统，因为其采用很少的统计近 似，因而在远离平衡态条件下可以获得相对理想的结果；但是由于在粒子模型中 5 7 一个粒子代表10 ~10 个真实粒子，因而其结果具有显著的统计涨落[10-12]。 本文采用流体模型对直流辉光放电等离子体的阴极鞘层进行了一维数值模 拟，得到了阴极鞘层附近电子温度、浓度和离子浓度等等离子体参量的局部变化 规律，同时再现了阴极鞘层附近阳离子聚集的行为。 模型与算法 在直流辉光放电管中，可粗略分为阴极鞘层区和正电柱区两个部分，如图一 所示。在阴极鞘层区，电子迅速积累到足够高的能量而电离中性分子，发出很强 的辉光形成负辉区；在正电柱区，电子电离中性分子退居次要过程，而离子与中 性分子碰撞交换动量是正电柱区的主要物理现象。在模拟阴极鞘层区和正电柱区 时，电子、离子的连续性方程和能量方程具有不同形式的源项，同时由于阴极鞘 层区具有很大的电场梯度，因而在对其进行数值模拟时需要更精细的空间网格， 以使数值求解过程稳定。综上所述，阴极鞘层区和正电柱区需要用不同的模型进 行数值模拟。 图一 压强8Pa、功率3.85W 实验条件下直流辉光放电管的阴极鞘层区域正电柱 区 基于以上分析，本文对直流辉光放电的阴极鞘层区进行数值模拟，在阴极鞘 层区，电子、离子均满足连续性方程： n e  k Nn (1) e i e t n i  k Nn (2) i i e t   k Nn 其中 、 为电子流、离子流通量， 为由于电子电离中性分子而产生的电 e i