第七章集成光学的材料-浙江大学光电科学与工程学院.PPT

浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 8.4 条形光波导及典型器件的制作 种类 波导材料 衬底 制作方法 扩散波导和埋入波导 Ti:LiNbO3 LiNbO3 Ti内扩散 H+:LiNbO3 LiNbO3 质子交换 K+,Ag+,Ti+:玻璃 钠玻璃 离子交换 SiO2-B2O3-GeO2 石英 溅射蚀刻+CVD AlxGa1-xAs GaAs 外延 脊型波导 Ti:LiNbO3 LiNbO3 Ti内扩散+干法蚀刻 Nb2O5 LiNbO3 溅射+剥离 Corning 7059, Ta2O5-SiO2, Al2O3 Fused Silica 溅射+干法蚀刻 有机聚合物 Fused Silica 显影与坚膜 (电介质)加载型 SiO2加载/ Ti:LiNbO3 LiNbO3 扩散+剥离 (金属)加载型 Al加载/ Ti:LiNbO3 LiNbO3 湿法蚀刻 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 8.4.1 LiNbO3波导及相应的集成光学器件 Ti扩散波导 预处理：切割晶体、清洗、干燥 溅射Ti膜：数十nm，溅射速率3-4?/s Ti的扩散：扩散温度低于LiNbO3的居里温度。Ti取代Nb(取代后增加折射率),防止Li+由晶体内部向表面扩散(水蒸汽) 要求： 扩散炉内温度均匀，1000℃ Ar+水蒸汽(升温)，气体流量适中， O2+水蒸汽(保温) 扩散时间与Ti膜厚度有关 降温应保持一定的速率 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 扩散波导与质子交换波导制作 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 质子交换波导 LiNbO3中的Li+被H+取代，浸入安息香酸熔融液(C6H5COOH)，在晶体表面形成HxLi1-xNbO3高折射率层 安息香酸会腐蚀LiNbO3晶体的Y面，不适合Y切割的LiNbO3晶体 LiNbO3晶体表面涂覆Ti,Cr掩模层——涂覆抗蚀胶——光刻得到所需的Ti膜图形——湿法蚀刻Ti膜(HF:HNO3:H2O=1:1:50)——封闭、恒温质子交换——溶去安息香酸，去除Ti膜——退火以降低传输损耗(400℃/1-2h) 波导深度与质子交换温度、时间有关 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 紫外辐照制作LiNbO3波导 Ar+激光器(488nm倍频，244nm)提供连续的紫外线。 激光束聚焦 LiNbO3晶体放置于平移台上 激光照射后照射区域的折射率增加——局部Li+外扩散 退火：250℃/2.5h 波导传输损耗0.7-2dB/cm 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 8.4.2 玻璃光波导的制作 玻璃中存在离子交换，一价阳离子扩散系数较大，可用Ag+,K+,Ti+等离子在一定的温度以上扩散到玻璃内部，与Na+进行置换，称为热离子交换(thermal ion exchange) 在交换过程中，给玻璃加上电场，对离子扩散起到促进作用，为电场辅助离子交换(electric field-assisted ion exchange)。 埋入型波导制备： a. 衬底上蒸发Al掩模 b. 涂覆抗蚀胶，光刻，获得波导形状窗口 c. H3PO4:CH3COOH:HNO3=15:4:1腐蚀窗口的Al膜形成衬底窗口，除去抗蚀胶 d. Ag+在波导窗口离子交换(AgNO3, 200-400℃/1h),取代Na+提高折射率。 e. 去除剩余Al掩模，电场辅助热离子交换，注入Na+与Ag+交换，使得表层折射率降低，形成埋入型玻璃波导。 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 剥离法(lift-off)制备脊型及加载型波导 一般的脊型与加载型波导的制备可采用溅射+干法/湿法蚀刻的方法获得。 剥离法制备脊型与加载型波导 a. 石英衬底上涂覆抗蚀胶，其厚度必须大于波导厚度。 b. 抗蚀胶干燥，掩模，紫外曝光，显影，获得存在钻蚀形状的波导窗口。 c. 真空蒸发/溅射沉积高折射率薄膜/负载条，要求在沉积过程中不存在高温的过程，以免破坏上层抗蚀胶。 d. 有机溶剂溶解抗蚀胶及其上层的薄膜，得到脊型与加载型玻璃波导。 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 8.4.3聚合物光波导的制作 一般的聚合物光波导制作：spin-coating+蚀刻 聚合物光波导折射率变化取决于掺入聚合物matrix中单体(发色团)种类，这些单体在紫外光与电子束照射下会产生聚合，使得波导窗口处的单体成为聚合物(选择性光聚合)，改变折射率，其他部位的单体通过显影除去。 可以采用此方法获得脊型波导与埋入型聚合物波导 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第七章 * 聚合物光波 导断面图(100