简介下世代微影技术与奈米转印微影技术-机电与微系统动态实验室.PDF

關鍵詞 摘 要 ‧下世代微影技術 NGL, Next generation目前光學微影技術的精進 ，導致半導體工業長 lithography 期持續成長不小 ，而目前正處於困難邊緣。光學微 ‧表面成像微影技術 TSI, top-surface imaging影技術 (Optical Lithography)正面臨抉擇 ，在現有 ‧限角度散射投影式電子束微影術 ArF(193nm)在 100nm以下已碰到其物理極限 ，而其 SCALPEL, scattering with angular它非傳統光學微影術則互相競爭下世代微影技術之 limitation projection electron-beam lithography主流地位 。奈米轉印微影術在1996年被提出後 ，挾 ‧極短紫外光微影術 其奈米線寬 、低成本、高量產能力而被認為最有機 EUV, ExtremeUltravilolent會成為下世代微影術 ，本文對目前傳統光學微影術 lithography 與非傳統光學微影術的現況作一簡介 ，並特別針對 ‧奈米轉印微影術 NIL,Nanoimprint lithography蓬勃發展中奈米轉印技術作一介紹 。 ‧步進光感成形式奈米轉印 Step and Flash Imprint Lithography 簡介微影術(Lithography)現況 ‧墨水式奈米轉印 Soft Lithography ‧雷射成形式直接奈米轉印 Laser Assisted Direct Imprint, LADI 機械工業雜誌 245 期 106 微 ‧機‧電‧技‧術‧專‧輯 在今日主導的 IC 製程 整合技術之一是微影技術 ， 而在半導體界中被奉為微影 技術成長的金科玉律- 摩爾 定律(Moores Law)指出 ，處 理器所含電晶體的數量每 18 個月將成長一倍 ，隨著 DRAM 時代的演進 ，每個晶 粒(die)的單位成本每年平均 縮減百分之二十五到三十 。 目前在 100nm以下傳統光 刻微影術已達到物理極限 ， 為了持續摩爾曲線的成長 ， 下一代的微影技術的需求為 圖一 (a)摩爾定律曲線 (資料來源: ITRS) 可以製造包含十億個電晶體 元件的微處理器 ，並在十億 微米元件製程在量產上已相當成熟 。另由於透鏡品 分之一公尺的範圍內精確操弄物質的方法 。 質的改良 、光罩及晶圓平台技術的精進及高數值孔 為了解決未來微影的困境 ，不同國家的數個機 徑(Number Aperture)，所改進出的KrF 248nm掃描步 構已形成 ，以驅除世界性半導體工業所將面臨的危 進機(scanner)將可進行 0.18微米世代的量產及 0.15 機 。包含美國半導體協會(SIA)和 SEMATECH 。在 或 0.13微米世代的研發 。但畢竟波長總有其物理極 日本 ，22 家公司一起結合於一個名為 ASET 限及光罩製作的困難度也愈來愈高 ，目前ArF 193nm (Association of Super-Advanced Electronics Technology)