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纳米级电子束直写曝光的基础工艺
第 卷增刊 半 导 体 学 报
Z4 Vol. Z4 Supplement
年 月
Z 003 5 C~INESE J0 URNAL 0 F SEMIC0 N UCT0 RS May Z 003
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纳米级电子束直写曝光的基础工艺
刘 明 陈宝钦 王云翔 龙世兵 陆 晶 李 泠
中国科学院微电子中心 北京
( 1000Z 9)
摘要 电子束光刻技术具有极高的分辨率 其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力 本文重点对不同的抗
: .
蚀剂 电子束 光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究
~ / .
关键词 电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正
: ; ;
EEACC : Z 550G ; Z 570
中图分类号: 305. 7 文献标识码: 文章编号: 0Z 53-4177(Z 003) 0-0Z Z 6-03
TN A S
技术(100~ 1nm ) . 纳米微结构一般指结构尺寸从几
前言 到百 以下的低维量子体系 人们常用 ~
1 nm nm . MBE
~ 射线 离子束 电子束等技术制备各类
M0 CV X ~ ~
微电子技术的飞速发展在很大程度上归功于光 纳米微结构 电子束曝光技术是迄今分辨率最高的
.
刻技术与设备的不断进步 光学光刻技术为集成电 一种曝光手段 是生产及研究集成光学器件 更高频
. ~
路的发展立下了汗马功劳 通过改进光源和采用波 器件 量子效应器件及超微细曝光的主导技术
FET ~
前工程使其加工能力不断拓展 目前 主流光学光刻
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