纳米级精细线条图形的微细加工3.PDF

　第 25 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 25, . 12 V o l N o 　2004 年 12 月 . , 2004 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S D ec 纳米级精细线条图形的微细加工 1 1 2 1 1 1 任黎明 　王文平 　陈宝钦 　周　毅 　黄　如 　张　兴 ( 1 北京大学信息科学技术学院微电子学系, 北京　10087 1) (2 中国科学院微电子研究所, 北京　100029) 摘要: 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP 刻蚀技术进行了研究, 形成一套以负性化 学放大胶 SAL 60 1 为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP 刻蚀的优化工艺参数, 并利用这些优化参数结合电子束邻 近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30nm 精细线条图形. 关键词: 微细加工; 电子束光刻; 邻近效应校正; ICP 刻蚀 EEACC: 2550G; 2570 中图分类号: TN 3057 　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 (2004) 为了获得纳米级线条图形, 本文对具有极高分辨率 1　引言 的电子束光刻和 ICP 刻蚀技术进行深入研究, 通过 大量实验, 形成一套以负性化学放大胶 SA L 60 1 为 随着微电子技术的不断进步, 集成电路 日益向 电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP 刻蚀的优化工艺 超高集成度方向发展, 对图形微细加工精度的要求 参数, 并利用这些优化参数制备出纳米级精细线条 越来越高, 已经达到深亚微米、百纳米甚至纳米级. 图形. 纳米级精细图形的微细加工是纳米特征尺寸集成电 路和器件研制的基础和关键, 日益受到人们重视, 成 2　电子束光刻技术 为 目前国际上的一个研究热点[ 1, 2 ]. 美、日等发达国 家近年来纷纷投入大量的人力、物力和财力进行研 电子束光刻是近三十年发展起来的一种分辨率 ( 究, 实验室、 等大公司集 中力量发展亚 极高的微细加工技术, 电子束直接曝光方式 不需要 B ell IBM ) 01m 以及更小尺寸的微电子技术, In tel 等四大半 使用掩模版, 通常称为电子束直写 甚至可以实现几 导体公司投资 35 亿美元联合开发亚 01m 光刻 个纳米线条的加