L6203,l297外文翻译.docVIP

L6201 L6202 - L6203 DMOS(消耗型金属氧化物半导体)全控桥驱动器 供电电压：48V 最大峰值电流5A（L6021最大2A） 电流有效值： L6201: 1A; L6202: 1.5A; L6203/L6201PS: 4A RDS (ON) 电阻值 0.3 ??(室温 25 ?C) 击穿电压保护 兼容TTL电路 运行最高频率100KHz 热滞 集成逻辑电路使用 高效 概述 L6201是一种应用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技术来控制电机的全控桥驱动器芯片，这种芯片能将独立的DMOS场效应晶体管和CMOS以及二极管集成在一块芯片上。由于使用模块化扩展技术，L6201可以实现逻辑电路及功率级的优化。DMOS场效应管能在42V的电压下运行，同时具备高效、高速的切换性能。兼容所有的TTL, CMOS and ?C输入。每个独立的逻辑输入能控制一个沟道(半桥)，而公共的使能端可以控制两个沟道。L6201共有3中不同的封装型号。 多源BCD技术 分类数据： L6201(SO20表面贴片) L6201PS(PowerSO20) L6202(双列直插封装18引脚) L6203(Multiwatt封装) 结构图 引脚连接图（俯视） 引脚功能 芯片 名称 功能 L620 L6201PS L6202 L6203 1 16 1 10 SENSE 外接电阻，提供电机反馈控制电流 2 17 2 11 ENABLE 高电平有效，选择IN1或者IN2接口 3 2,3,9,12 ,18,19 3 N.C. 不接线 4.5 — 4 6 GND 公共接地端 — 1,10 5 GND 公共接地端 6,7 — 6 GND 公共接地端 8 — 7 N.C. 不接线 9 4 8 1 OUT2 第二个半桥的输出口 10 5 9 2 Vs 电源端 11 6 10 3 OUT1 第一个半桥的输出口 （续） 12 7 11 4 BOOT1 引脚外接自举电容来确保第一级DMOS场效应管有效 13 8 12 5 IN1 电机的数字信号输入 14,15 — 13 6 GND 公共接地端 — 11,20 14 GND 公共接地端 16,17 — 15 GND 公共接地端 18 13 16 7 IN2 电机的数字信号输入 19 14 17 8 BOOT2 引脚外接电容来确保第一级DMOS场效应管有效 20 15 18 9 Vref 内置参考电压，通过电容充电。含有内置电阻，最大电源输出2mA 绝对最大额定值 符号 参数 数值 单位 VS 电源端 52 V VOD 不同的输出端的电压（在Out1到Out2之间）60V 60 V VIN ,VEN 输入或者是使能电压 -0.3到+7 V IO 脉冲输出电流 对于L6201PS/L6202/L6203（注1） –无重复 对于 L6201 对于6201PS/L6202/L6203 直流输出电流 对于L6201 (注1) 5 5 10 1 A A A A Vsense Sensing Voltage 检测电压 -0.1到+4 V Vb Boostrap Peak Voltage 自举电容峰值电压 60 V Ptot 总功耗Tpins = 90°C 对于 L6201 对于 L6202 Tcase = 90°C 对于 L6201PS/L6203 Tamb = 70°C 对于 L6201 (注2) 对于 L6202 (注2) 对于 L6201PS/L6203 (注2) 4 5 20 0.9 1.3 2.3 W W W W W W Tstg Tj 储能端节点 -40到+150 °C 注1：脉冲宽度仅受节点及电热阻抗的影响（详见热特征参数表） 注2：配置最小面积的铜片 热特征参数 符号 参数 数值 单位 L6201 L6201PS L6202 L6203 Rthj-pins Rthj-case Rthj-amb 节点引脚热电 max 最大值 节点内热阻 max. 最大值 节点外热阻 max. 最大值 15 — 85 — — 13（*） 12 — 60 — 3 35 °C/W （*）安装铝制基片电路板 电气特性（测试电路参数：温度=25?C ,，电压42V，传感电压0V，无别的特殊要求） 符号 参数 测试条件 最小 典型值 最大 单位 Vs 电源端 12 36 48 V Vrel 参考电压 IREF=2mA 13.5 V IREF 输出电流 2 mA Is 静态电流 EN = H VIN = L EN =