上流式厌氧污泥床裂解光电业tmah废水.ppt

三、實驗結果 3-2 實驗(二)低氧式接觸曝氣槽應用於光電廢水RUN 3 Fig. 低氧式接觸曝氣槽連續進出流氮系污染物變化圖 (1)在RUN 3 時，進流基質不變，因進流氨氮濃度 較低，所以額外添加NH4Cl提高進流氨氮濃度。 (2)總氮負荷為 0.4~0.6 kg N/m3-day，去除率仍可 達到 70%。 TN removal efficiency TN VLR TN removal rate Eff-NH4+-N 三、實驗結果 3-2 實驗(二)低氧式接觸曝氣槽應用於光電廢水RUN 4 Fig. 低氧式接觸曝氣槽連續進出流氮系污染物變化圖 (1)RUN 4 期間，進流基質不變，將氨氮濃度控制 在200 mg N/L，實驗室規模反應槽開始以光電 廢水當進流基質，結果後期處理效果較差。 (2)可能是光電廢水中有抑制物，因此影響接觸曝 氣槽之進流，導致反應槽後期整體處理效果降 低，總氮去除率降至20%。 TN removal efficiency TN VLR TN removal rate Inf-NH4+-N Eff-NH4+-N 三、實驗結果 3-2 實驗(二)低氧式接觸曝氣槽應用於光電廢水RUN 5 Fig. 低氧式接觸曝氣槽連續進出流氮系污染物變化圖 (1)因反應槽整體效能降低，在RUN 5 時，進流基質不變，但 停止使用光電廢水。 (2) 將HRT縮短至4.8 小時，提升槽內之體積負荷，也將溶氧提 升至0.8~1mg/L，進流氨氮控制在100 mg N/L，總氮負荷 為0.7~0.1 kg N/m3-day，去除率提升至50%， (3)後期反應槽整體效果有提升之現象，之後將繼續馴養，提升 總氮去除效率。 三、實驗結果 3-3 實驗(三)評估厭氧氨氧化程序處理煉焦廠經臭氧 處理之廢水RUN 1 Run1 O槽進出流平均水質 Phase Run1 Operation tim(day) 1-25 inf eff NH4+-N(mgN L-1) 48±12 46.1±9.1 NO2--N(mgN L-1) 58.4±7.2 54.8±7.9 NO3--N mgN L-1) 2.4±1.7 2.1±1.7 COD(mgO2 L-1 ) 112.3±13 109.7±18.5 TKN(mgNL-1) 46.9±18.6 45.4±15 第一階段(第1~25天)以未經馴養煉焦廠污泥分別植入反應槽中，反應槽以煉焦廠經臭氧處理後廢水當作基質來源，並添加部分亞硝酸鈉做為該反應槽之電子接受者，而由氨氮與亞硝酸的進出流變化當中，在植入未經訓養的植種源後約2週的時間可發現已有少量的氨氮與亞硝酸氮有去除的現象，並無明顯效果，可能需較長期的馴養。 三、實驗結果 3-3 實驗(三)評估厭氧氨氧化程序處理煉焦廠經臭氧 處理之廢水RUN 2 Run2 O槽進出流平均水質 Phase Run2 Operation tim(day) 26-62 inf eff NH4+-N(mgN L-1) 33.4 ±5.7 2.6±3 NO2--N(mgN L-1) 55±4.7 4.7±3.8 NO3--N mgN L-1) 5±2.2 9.2±3.6 COD(mgO2 L-1 ) 101.3±11.4 38.8±14 TKN(mgNL-1) 31.6±4.9 5.7±2.2 在第二階段(第26~62天)將無馴養煉焦廠活性污泥替換成某石化工業區聯合廢水處理廠之活性污泥，此活性污泥已在實驗室中馴養過。在此階段可至上圖看出進流水氨氮濃度平均33±6(mgN L-1)、亞硝酸55±5(mgN L-1)出流水氨氮濃度3±3(mgN L-1)亞硝酸氮5±4(mgN/L)、硝酸氮9±4(mgN L-1)。進流水-出流水安氮濃度、亞硝酸濃度有明顯減少，而硝酸根有累積的現象，NO2--Nremoval/NH4+-Nremoval =1.62±0.32得知與完整自營性脫硝的化學劑量(比值=1.32)的化學劑量是符合的，由此可知反應槽內是以自營性脫硝來進行反應。此階段的體積負荷(VLR)=934±92 mg N L-1 d-1、總氮去除速率(NRR)=769±62 mg N L-1 d-1、總但去除效率達到83±7%。 三、實驗結果 3-3 實驗(三)評估厭氧氨氧化程序處理煉焦廠經臭氧 處理之廢水RUN 3 Run3 O槽進出流平均水質 Phase Run3 Operation tim(day) 63-95 inf eff NH4+-N(mgN L-1) 94.6±33.7 15.1±16.7 NO2--N(mgN L-1) 102.5