蒋莉模电第章.pptVIP

绪 论 一、电子技术的发展 电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！ 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、《模拟电路分析与实践》基础课的特点 特殊的电路规律 电路：讨论线性元件和电路 模拟电路：非线性器件（欧姆定律不适用于非线性电路） 电路：直流电路与交流电路分开研究 模拟电路：交直流电路共存于同一电路中，增加分析问题的复杂性 电路：只研究输出对于输入的依赖关系，不涉及输出对于输入的反作用 模拟电路：存在这样那样的反馈，构成学习难点 五、如何学习这门课程 特殊分析方法 为了突出主要矛盾，简化实际问题，经常采用近似的方法。 为了在一定条件下实现矛盾的转化（如将非线性器件转化为线性电路，或将复杂的线性网络转化为简单的电压源），经常采用等效的方法。 为了直观形象地分析全局，确定工作状态或研究变化趋势，经常采用图解的方法。 课程实践性强 课本中介绍的器件均是实际中所用的器件，原理电路也是实际电路的一部分。 要真正掌握这些器件的性能及电路的功用，必须搭接安装这些电路，挑选元器件，调试电路，改进电路，提高解决实际问题的能力。 内容庞杂繁多 器件种类多 电路形式多 概念方法多 六、课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 自然界的物质，根据导电能力的强弱可分为： 导体（银、铜、铝等）：导电能力极强。 绝缘体（塑料、橡胶等）：基本不导电。 半导体（锗Ge、硅Si等）：导电能力介于两者之间。 1.1 半导体基础知识 一、半导体的特性 1.半导体――导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，常用硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。 2.半导体的特性－－热敏性、光敏性、掺杂性 二、本征半导体－－化学成分纯净的单晶结构半导体 1. 硅和锗简化原子结构模型 硅和锗都是四价元素，原子最外层有4个价电子。 把硅或锗材料制成单晶体时, 原子间距离很近。价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子所共有，从而形成共价键。 三、杂质半导体 1.2 半导体二极管 一、半导体二极管的结构、符号及类型 1.结构符号 1. 正向特性 ? 当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为 ,相应的A(A′)点的电压称为 电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为 V,锗管约为 V,如图中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很 电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为 0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。 4. 温度对特性的影响 温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。 四、半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF：二极管允许通过的最大正向平均电流。超过ＩＦ, 二极管将过热而烧毁。 2.最大反向工作电压ＵＲM：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时, 二极管可能被击穿。为了留有余地, 通常取击穿电压的一半作为ＵＲM 3. 反向饱和电流IR：二极管未击穿时的反向电流值。 4. 最高工作频率fM：二极管正常工作时的上限频率值，它的大小与结电容有关。超过此值，二极管的单向导电性变差。 五、二极管的简易测试 将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。 用万用表欧姆档判别二极管的“好”“坏” －－用R×100、R×1k档（黑表笔电压