电荷转移、信号输出.pptVIP

光电成像器件—CCD CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD的结构 MOS 光敏元：构成CCD的基本单元是MOS(金属—氧化物—半导体)结构。 电荷存储 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。 当UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。 电荷的转移（耦合） 第一个电极保持10V，第二个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。 若此后第一个电极电压由10V变为2V，第二个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。 CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD，1μm的间隙长度是足够了。 ＣＣＤ的工作原理 ＣＣＤ主要由三部分组成：信号输入、电荷转移、信号输出。 输入部分：将信号电荷引入到ＣＣＤ的第一个转移栅极下的势阱中，称为电荷注入。 电荷注入的方法主要有两类：光注入和电注入 电注入：用于滤波、延迟线和存储器等。通过输入二极管给输入栅极施加电压。 光注入：用于摄像机。用光敏元件代替输入二极管。当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子—空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 ＣＣＤ的工作原理 在ＣＣＤ栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压，则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内信号电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出视频信号。 为了实现电荷的定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD。由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。 CCD的特点 体积小，功耗低，可靠性高，寿命长。 空间分辨率高，可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高，动态范围大，红外敏感性强，信噪比高 。 高速扫描，基本上不保留残象(电子束摄象管有15~20％的残象) 集成度高 可用于非接触精密尺寸测量系统。 无像元烧伤、扭曲，不受电磁干扰。 有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定，便于与计算机结合接口。 CCD的特性参数 像素数量，CCD尺寸，最低照度，信噪比等 像素数是指CCD上感光元件的数量。44万（768*576）、100万（1024*1024）、200万（1600*1200）、600万（2832*2128） 信噪比：典型值为46分贝 感光范围 — 可见光、红外 CCD按电荷存储的位置分有两种基本类型 1、电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输 ——表面沟道CCD(简称SCCD)。 2、电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输， ——体沟道或埋沟道器件(简称BCCD)。 ＣＣＤ的类型 线阵ＣＣＤ：光敏元排列为一行的称为线阵，象元数从128位至5000位以至7000位不等，由于生产厂家象元数的不同，市场上有数十种型号的器件可供选用。 面阵CCD：器件象元排列为一平面，它包含若干行和列的结合。 目前达到实用阶段的象元数由25万至数百万个不等，按照片子的尺寸不同有1／3英寸、l／2英寸、2／3英寸以至1英寸之分。 线阵CCD：一行，扫描；体积小，价格低；面阵CCD: 整幅图像；直观；价格高，体积大； CCD在检测方面的应用 几何量测量 自动步枪激光模拟射击系统。 光谱测量 光谱仪输出信号测量。 * * （Ｐ／Ｎ型层） 电极 电荷的转移（耦合） P-Si 输入 栅 输入二极管 输出二极管 输出 栅 SiO2 ＣＣＤ的类型 面阵CCD芯片