多层犌豺纳米晶镶嵌牦犻基薄膜制备与光学特性 - 陕西师范大学学报.PDF

第 卷 第 期 陕西师范大学学报（自然科学版） ４０ ５ Ｖｏｌ．４０ Ｎｏ．５ 　 　 年 月 （ ） ， ２０１２ ９ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｈａａｎｘｉＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ Ｓｅ． ２０１２ 　 ｙ ｐ 　 文章编号： （ ） １６７２４２９１２０１２０５００２３０４ 多层 纳米晶镶嵌 基薄膜制备 犌犲 犛犻 与光学特性 １ １ ２ ３ １ １ １ 刘晓静 ，高 斐 ，赵卓斋 ，孙文超 ，张君善 ，宋美周 ，李 宁 　 　 （ 陕西师范大学 物理学与信息技术学院，陕西 西安 ； 陕西光伏产业有限公司，陕西 西安 ； １ ７１００６２２ ７１００５１ ３西北工业大学 软件与微电子学院，陕西 西安 ７１００６９） 摘 要：采用超晶格方法，利用射频磁控共溅射及在 气氛中退火技术，制备了多层 纳米晶 Ｎ Ｇｅ 　 ２ （ ）镶嵌 基复合薄膜（ ／ ）同时采用椭圆偏振光谱法，研究了 的 Ｇｅｎｃｓ Ｓｉ Ｇｅｎｃｓ＋ＳｉＯ ＧｅＯ ． Ｇｅｎｃｓ ２ ２ ３ 光学性质，并用 紧束缚理论模式，解释了 带隙宽化现象 结果表明：用超晶格方法制备的 狊 Ｇｅｎｃｓ ． 狆 多层 具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点，纳米晶平均尺寸为 复合薄膜（ Ｇｅｎｃｓ ９．８ｎｍ． Ｇｅ ／ ）具有正常色散的特性，且在 处具有较强烈的吸收特性； 的光学 ｎｃｓ＋ＳｉＯ ＧｅＯ １３４０ｎｍ Ｇｅｎｃｓ ２ ２ 带隙为 ，与块体 材料相比， 吸收谱显示出 的带隙宽化 这种现象主要是 ０．８２ｅＶ Ｇｅ Ｇｅｎｃｓ ０．１６ｅＶ ．