等离子体溅射法在蓝宝石(01 2)晶面上生长zno薄膜的 - 中国led网.docVIP

等离子体溅射法在蓝宝石(012)晶面上生长ZnO薄膜的应用 来源：南京世锋科技等离子研究中心??2009-10-21 　　蓝宝石上外延生长ZnO薄膜在表面波和声光器件中有重要的应用.用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法在蓝宝石(012)晶面上外延生长了ZnO薄膜，膜无色透明，并且表面光滑，基片温度为380℃，为探索沉积工艺参数对薄膜结构的影响，用XRD对不同基片温度和沉积速率生长的ZnO薄膜进行了研究. PACC：0484 THE STUDY OF EPITAXIAL GROWTH ZnO THIN FILM ON A (012) SAPPHIRE SUBSTRATE USING ECR PLASMA SPUTTERING METHOD* WANG JIAN-HUA　YUAN RUN-ZHAN(State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070)WU QIN-CHONG　REN ZHAO-XING(Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Sciences,Hefei 230031) ABSTRACT　　Epitaxial growth of ZnO film on sapphire substrate has important applications in surface acoustic wave and acousto-optical transducers.An epitaxial ZnO film has been grown on a (0112) sapphire substrate using ECR plasma sputtering method at a substrate temperature of 380℃.The film is colourless,transparent and surface smooth.In order to explore the relationship between the deposition parameter and crystal structure of ZnO film,it have been studied that epitaxied growth of ZnO film in different substrate temperatures and deposition rates by XRD method. PACC： 0484 1　引言 　　随着声表面波(SAW)技术的发展，对更高频的SAW器件的需求日益增加，因而希望有高声速的基片材料，在蓝宝石基片上溅射沉积ZnO薄膜格外引人注目.如：当膜厚相当于SAW波长时，则SAW速率约为6000 m/s，高次模SAW传播的速度则高达7000 m/s以上［1］.这比LiNO3或石英的SAW速度大得多.　　众所周知，用溅射法能在玻璃衬底上生长c轴取向的ZnO薄膜，这种膜与衬底构成的层状结构可用于较低频段的SAW器件.当用于几百MHz以上的高频波段的薄膜SAW器件时，若构成器件的压电ZnO薄膜是多晶结构，则由于传播损耗大，而降低器件性能.这时就要使用单晶ZnO薄膜［2］.用化学气相沉积法生长的薄膜，沉积温度高，膜表面粗糙，用于SAW器件时需要抛光.将薄膜抛光到有确定的SAW相速度的一定厚度是很困难的.有文献报道，用射频溅射外延生长ZnO薄膜，不用抛光工序即可获得光滑的薄膜.但这时使用了掺Li2CO3氧化锌陶瓷靶，溅射沉积时，获得的薄膜晶粒大，工艺稳定性和重复性差，制作的薄膜器件传输损耗大，尤其是当Li+离子吸收了空气中的水分时，在薄膜的表面会产生LiOH，并降低器件的稳定性和可靠性［1，3—5］.　　微波ECR等离子体有许多优异的特性.人们已将这种等离子体用于了薄膜的沉积、刻蚀、氧化、掺杂和外延.利用ECR等离子体激发金属有机化合物的气相外延(MOVPE)GaN单晶膜［6］，沉积温度只有300—400℃，而常规的金属有机化合物气相外延生长GaN单晶膜则需要900—950℃，离子能量高会使沉积膜变成多晶，生长基片温度高，会造成薄膜中可能出现较多的缺陷.ECR等离子体离子能量较低，能在较低温度下成膜［7］，在200℃时沉积的SiO2膜的性质与热氧化的SiO2膜的性质相当［8］，在400—800℃时用SiH4能使Si同质外延生长［9］.我们用ECR等离子体溅射法在蓝宝石(0112)晶面上制备出表面光滑、平整、致密和透光性好，晶粒细小，