所以我先对忆阻器的基本特性进行模拟首先.PDF

由於已經對 Matlab的基本模擬方式都已經瞭解了，所以我先對憶阻器的基 本特性進行模擬。首先對憶阻器做理論的推導，憶阻器是由一塊極薄的二氧化鈦 被夾在兩個電極所形成。這塊鈦又被分成兩個部份，一半是正常的二氧化鈦，另 一半稍微「缺氧」，少了幾個 氧原子。缺氧的那一半帶正電， 因此電流通過時電阻比較小， 而且當電流從缺氧的一邊通 向正常的一邊時，在電場的影 響之下缺氧的「洞」會逐漸往 正常的一側游移，使得以整塊 材料來言，缺氣的部份會佔比 較高的比重，整體的電阻也就 會降低。反之，當電流從正常的一側流向缺氧的一側時，電場會把缺氧的洞往回 推，電阻就會跟著增加。如圖總長度為Ｄ，其中憶阻器參雜端為缺氧之二氧化鈦 定義長度為ｗ，阻值為ＲＯＮ另一半未參雜端為二氧化鈦定義長度為Ｄ－ｗ，阻值 為ＲＯＦＦ 。我們假設輸入電壓為v ，流過憶阻器電流為i ，離子移動率為µ ，則表 V 示式如下： v t R R 1 it µ it 兩邊同時積分得:w t µ qt µ 已知Ｒ ＯＮ ＲＯＦＦ ，再將上是帶入v(t)得 :Mq t R 1 qt 此則 為憶阻器之阻值。已知憶阻值後進行模擬分析。 假設輸入為 sin 2πt ，µ =10 ，D=10 ，Ron=100 ，R =16000 。 V OFF 電流電壓對時間圖與 IV圖如下 : 假設輸入為 sin ２ （2πt ），µ =10 ，D=10 ，Ron=100 ，R =16000 。 V OFF 電流電壓對時間圖與 IV圖如下 : 經過這些模擬的特性圖可知，憶阻器確實不是一個線性元件，與普通的電阻 為線性的特性截然不同。 此時已經對憶組器了解有一定程度後，再來我們將憶阻器加入一個 RLC電路中，將原本的電阻用憶阻器取代，再來觀察電路輸出變化。首先我們 來分析RLC電路的輸出推導。 電阻的電壓降為 I(t)R ，電感壓降為L ，電容壓降為V t