微电子学导论第五章_CMOS集成电路的物理设计.ppt

物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 芯片版图与基本单元版图的关系 物理设计的基本概念 芯片版图与基本单元版图的关系 物理设计的基本概念 基本门版图设计 CMOS基本门版图的重要特点 物理设计的基本概念 CMOS传输门（复习） 物理设计的基本概念 CMOS与非门（NAND2） 物理设计的基本概念 CMOS或非门（NOR2） 物理设计的基本概念 反相器：N阱(n-well)与P衬底(P-substrate)的电 位连接 物理设计的基本概念 知识拓展 物理设计的基本概念 版图电学参数的计算 复习 * 版图电学参数的计算—方块电阻（需掌握） 互连线的方块电阻 互连线的电阻 * 方块电阻与线电阻 版图电学参数的计算—方块电阻（需掌握） * 互连线的电容 版图电学参数的计算—互连线电容（需掌握） 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 设计规则（Design Rules） 物理设计的基本概念 几何设计规则主要包括各层的最小宽度、层与层之间 的最小间距等。 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 防止电迁移 物理设计的基本概念 金属的电迁移现象： 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 4. 露头 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 Ids=βn[(Vgs-Vtn)-Vds/2]Vds ——线性区的电压-电流方程 （仅需掌握这个形式） 物理设计的基本概念 复习 物理设计的基本概念 物理设计的基本概念 依掩膜层次顺序来顺序讲授版图层次 0. 从P型衬底开始 1. n阱（nWell） 2. 有源区（Active） 4. p选择（pSelect） 5. n选择（nSelect） 6.有源区接触（Active Contact) 7. 多晶接触（Poly Contact） 8. 金属1 （Metal1） 9. 通孔 （Via） 10. 金属2 （Metal 2） 11. 覆盖绝缘层 1. N阱：n阱掩膜版上的封闭的多边形代表n阱—n阱接Vdd 物理设计的基本概念 2. 有源区Active 场氧 物理设计的基本概念 3. 硅掺杂区（N+和P+区）--有nSelect和pSelect的掩膜层 （1）N+区： 物理设计的基本概念 3. 硅掺杂区（N+和P+区）--有nSelect和pSelect的掩膜层 （2）P+区： 物理设计的基本概念 4. MOSFET (1)NFET 物理设计的基本概念 nFET的沟道区表征nFET (1)NFET 物理设计的基本概念 4. MOSFET (2)PFET: 物理设计的基本概念 pFET的沟道区表征pFET 4. MOSFET (2)PFET: 物理设计的基本概念 MOSFET的设计值和有效值 有效沟道长度： 有效沟道宽度： 物理设计的基本概念 5. 有源区接触（Active Contact） 物理设计的基本概念 6. 金属1（Metal 1）--Metal：信号线或者分配电源 物理设计的基本概念 金属1与有源区接触连接 6. 金属1（Metal 1） 物理设计的基本概念 多晶与有源区接触的设计规则 7 多晶接触 物理设计的基本概念 金属与多晶没有连接 物理设计的基本概念 同样寛长比的n管串联 物理设计的基本概念 不同寛长比的 n管串联 同样寛长比的 n管并联 物理设计的基本概念 8. 通孔和多层金属 超大规模集成电路与系统导论 超大规模集成电路与系统导论2010 第五章 物理设计的基本要素. 超大规模集成电路与系统导论2010 第五章 物理设计基本要素 超大规模集成电路与系统导论 物理设计的基本概念 什么是广义的物理设计？将逻辑电路转换成硅片细节的设计过程。包括：物理综合（Physical-Synthesis）；时序收敛（Timing Closure）；版图设计（Layout）；物理验证（DRC、LVS、ERC）。 版图(Layout)是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。版图的设计有特定的规则。这些规则是集成电路制造厂家根据自己的工艺特点而制定的。因此不同的工艺，就有不同的设计规则。 * CMOS工艺层—不同电学特性的区域 CMOS集成电路的物理结构 * CMOS集成电路的物理结构 有源区（Active Layer) * A Modern CMOS Process（扩展学习） Dual-Well Trench-Isolated