机械硬盘和固态硬盘的工作原理和区别文档资料.pptx

; 首先了解一下机械硬盘的工作原理;上图是一款机械硬盘结构图。机械硬盘的结构基本都是一样的： 电路板上的主控制器芯片负责与芯片组之间的通信并且控制硬盘内部的运转； 盘片是用磁性材料做成的，固定在硬盘中部的马达上旋转； 磁头则沿着盘片的径向移动。 磁头读取、写入数据时会在盘片上方移动，移动过程也叫硬盘寻道的过程 至于“寻道”，则是和盘片的结构有关。;盘片结构;从以上叙述中，我们已经可以看到，机械硬盘要读出数据，必须要磁头找到对应的磁道和扇区（对于多碟的机械硬盘首先需要确定柱面），这全部依靠磁头的驱动马达来驱动（磁头本身是依靠盘片旋转产生的气流来悬浮的）。马达等等机械装置的反应速度毕竟不快，所以机械硬盘会浪费大量的时间用于寻道操作（每次寻道大约10ms左右）。尤其是对于零碎的小文件读写来说，由于文件所在扇区不连续，需要不断地要进行寻道，这样就产生很悲剧的性能。但是对于持续读写来说，由于不需要进行不断地寻道，所以不存在寻道时间。所以机械硬盘的随机读写能力很差（不超过0.1MB每秒），但是持续读写能力并不差（而且随着单碟容量的提升和磁盘阵列的组建，持续读写速度可以比固态硬盘更快）。;到这里你们或许要问：为什么使用固态硬盘的电脑 普遍比使用机械硬盘的电脑反应快呢？;提高HDD性能的方法之一是组建磁盘阵列。磁盘阵列有多种类型，而且有些阵列是为了保证数据的安全，作为自动备份而组建的，这一类我们暂时不去谈。通常用于提高性能的磁盘阵列是RAID 0.比如，使用4块硬盘组建RAID 0之后，当有数据从芯片组传输给硬盘，这个数据会被自动划分成4部分，每个硬盘各自存储一部分，这样的话理想状态下RAID 0下写入速度翻倍；读取也是类似的原理，每个硬盘各自拿出各自的数据，理想状态下读取速度也是翻倍的。; 不得不说的U盘; 固态硬盘的原理;?1、NAND颗粒 ;简单地说，NAND可以视作是由很多很多个电容器组成的集成电路。NAND分为SLC（Single Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）等等（目前只有这三种）。从名字就可以看出区别：SLC是“单层”，MLC???“双层”，TLC是“三层”。事实上可以这样理解：SLC是指分别将电容器的充电状态（有电荷）和放电状态（无电荷）视为0和1；MLC则是电荷全满、电荷2/3、电荷1/3、无电荷这四种状态，定义成00、01、10、11；TLC则是又增加了几个中间值，有000至111这八种定义。那么SLC的一个Cell（一个“电容器”）只能存储1bit，MLC是2bit，TLC则是3bit。同时也很自然地可以明白，SLC可以很清楚地判断一个cell里面到底是0还是1；但是MLC就不太容易判断了，因为不同量的电荷表示不同的数据，电荷稍有流失就会导致出错；TLC出错的几率更大。所以从稳定性而言，SLC最佳，MLC次之，TLC最差。另外这些Cell都是有“惰性”的，连续充电放电若干次之后就无法保存电荷了，造成数据出错。从这个方面而言，SLC也是最耐充放电的，MLC次之，TLC最差。所以SLC使用寿命最长，MLC次之，TLC最差。就充放电速度而言，SLC最简单，速度也最快；结构越复杂速度也越慢，所以MLC次之，TLC最慢。;从上一段总结出，无论是速度还是稳定性，SLC都是最佳的选择，MLC次之，TLC最差。但是我们也知道了同样的一个“电容器”，SLC存储的信息只有MLC的1/2，也是TLC的1/4，所以SLC的成本也是最高，而且无法做成容量很大的芯片。目前SLC的NAND产品大多数用于企业级的半导体存储器上，民用以MLC和TLC为多。;继续讲NAND。数据在NAND中不能没有组织，否则无论什么设备都不能读出这些数据究竟是什么。类似于机械硬盘的扇区，固态硬盘也有自己最小的文件存储单位，叫做Page。目前的NAND颗粒，Page的大小并不一致，但是也只有两种：4KB或者8KB（1KB=1024字节）。Page相当于一组规律化组合的“电容器”。机械硬盘上的文件必须占用整数个扇区；固态硬盘也是类似，任何文件占用的空间必须是整数个Page。这个与文件系统无关，属于硬件层面。;借用一张图来说明NAND的组织结构（图中的这个NAND的Block由256个Page组成，所以一个Block是1024KB）：;根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元(数据)，则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。;2、主控芯片 ????任何存储设备都有主控制器