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第二章半导体材料 概述 了解原子的结构和结合是认识硅扮演着半导体材料重要角色的关键。掌握这些知识，为理解简单的半导体器件如何能充当复杂微芯片世界的一部分提供了基础。 习题 1.描述导体、绝缘体、半导体之间的电性差异 2.本征半导体、掺杂半导体分别是怎样定义的？为什么要进行掺杂？ 3.列举出至少3种半导体材料？最常用的半导体材料是什么？为什么使用普遍？ 4.化合物半导体来自周期表中的哪些族？ 5.砷化镓相对于硅的优缺点是什么？ 2.4电子和空穴的传导 N型硅 导带电子多于价带空穴 P型硅 N型半导体中的电子传导 P半导体中的空穴传导 受主：在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂 施主：在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂 掺杂半导体的特性 2.5电子和空穴的输运 1、热运动 电子或空穴在半导体中的热运动是随机的，又是被碰撞过程所中断。所以热运动最终并不产生净 移位或长时间内的输运，电子随机热运动的速度 是温度的函数，在室温下这一速度近似为 8*106cm/s. 2、漂移运动 当在样品上加有电场时，就会有一个附加速度分量与载流子的热运动相迭加，这个附加分量就是漂移运动。 电子的漂移运动方向与电场的方向相反。 当漂移速度与热运动速度相当时，电场对漂移速度的作用开始减小。 电子和空穴漂移速度随电场的增强而增加。但漂移速度的增长速率逐渐减缓，最后达到一个最大的漂移速度。 单位面积上的电子和空穴漂移电流密度分别为： 总的漂移电流密度为 3、扩散运动 上述两种运动是指半导体中浓度均匀的载流子运动，在浓度不均匀的情况下，载流子还会在浓度梯度▽n、 ▽p的影响下进行扩散运动，电子和空穴的扩散电流密度分别为： 总的电流扩散密度为： 2.6载流子的迁移率 迁移率：漂移速度与外加电场强度之间的比例常数。 载流子被电场加速的同时，将与晶格格点和晶格中的杂质碰撞产生散射，各种散射机构决定了载流子的迁移率的大小。 迁移率与扩散系数间满足 2.7硅中的载流子的寿命 在任一温度下，均可通过热过程在硅内部不断产生电子—空穴对，同时，电子—空穴对又通过复合不断消失。当电子—空穴对的产生与复合率完全相同时便达到了平衡。 如果用一个高能源照射本征半导体表面，电子—空穴对的数目将迅速增加。光照去去除后，电子和空穴浓度仍然相等，但两者的乘积却远远大于半导体在同一温度下的平均值 ，过剩的电子和空穴通过复合衰减，同时以光照和热的形式向晶格释放能量。 过剩电子—空穴对复合所需时间为载流子寿命。对 硅而言，载流子寿命可高达几百 ，低至几ps。 硅中的电子空穴对可通过以下几种途径进行复合： 1.直接复合，在导带、价带之间直接跃迁所产生的复 合 2.间接复合，借助硅中杂质能级进行复合 3.表面复合 2.8PN结 PN结的形成 内建电场 内建电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响： 一是内电场将阻碍多子的扩散 二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，使空间电荷区变窄。? 当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结处于动态平衡。ＰＮ结的宽度一般为0.5um。 ?PN结在未加外加电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡，通过PN结的电流为零。 2.9半导体二极管的结构? 1.点接触型二极管的结构 它的特点是结面积小，因而结电容小，适用于高频(几百兆赫)电路。但它不能通过很大的电流，也不能承受高的反向电压。主要用于小电流整流和高额检波，也适用于开关电路。 2.面接触型二极管的结构 它的特点是 PN结面积大，能通过较大的电流，结电容也大，适用于整流电路，但工作频率较低。 3.平面型二极管的结构 它的特点是结面积较大时，能通过较大的电流，适用于大功率整流。结面积较小时，结电容较小，工作频率较高，适用于开关电路。 2.10半导体产品材料 锗和硅 锗的熔点为973 ℃，限制了高温工艺，表面缺少自然生成的氧化物，从而容易漏电。 硅的熔点为1415 ℃，允许高温工艺，且容易生成二氧化硅。 半导体化合物 化合物半导体由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）、砷铝化镓（GaAlAs）和磷镓化铟（InGaP）等。当电流激活时，由砷化镓和磷砷化镓做成的二极管会发出可见的激光。也用于电子面板中的发光二极管。 砷化镓 1、载流