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《现代分析技术》复习参考题 99.12 一、扫描电镜与电子探针 电子与表面相互作用的物理过程及产物。 什麽是激发深度？什麽是信息深度？了解它们对实际测量有什麽意义？hkl)晶面弯曲成曲率半径为2R的柱面，再把外形磨成曲率半径R的柱面？ 12．电子探针能谱仪中硅检测器和多通道分析器的原理。 二、扫描隧道显微镜与原子力显微镜 STM的原理、特点和基本工作模式。 AFM的原理及其关键技术。 隧道结电流和距离、平均逸出功大致是什麽关系？隧道电流一般在什麽量级？针尖与表面距离每变化1A，隧道结电流大致改变多少？ STM的分辨率与哪些因素有关？ 减小震动的基本途径。如何达到对大多数频率干扰，针尖－样品间隙的变化比基座振动的振幅小5个数量级？ 用STM和AFM测量样品形貌对样品各有什麽要求？ 如何用AFM测量样品的弹性和塑性？ 控制微小距离移动方法。 三、俄歇电子能谱 什麽是俄歇跃迁？主要特点是什麽？ WiXpYq俄歇跃迁的意义是什麽？什麽是C-K跃迁、超C-K跃迁？ 荧光过程和俄歇过程有什麽关系？为什麽随着原子序数增加分别使用KLL、LMM和MNN系俄歇跃迁？ 为什么检测到的俄歇电子反映的是表面信息？信息深度大约多少？ 俄歇电流大小与哪些因素有关？ 如何提高AES的信背比？微分谱与直接谱的区别。 怎样识AES谱？如何进行元素定性分析？ 常用AES谱元素定量分析方法。 如何利用俄歇电子能谱仪进行样品元素的深度分析？ 筒镜能量分析器原理。 四、二次离子质谱 SIMS原理，主要特点。 什麽是物理溅射？与哪些因素有关？ 用离子束扫描作深度剖面分析时会伴随哪些物理现象发生？如何提高深度剖面分析的深度分辨率？ 二次离子产额与哪些因素有关？ 什麽是SIMS分析中的基体效应？ 为什么SIMS分析中经常注氧？ 为什么经常采用Ar+、O-、或Cs+为一次离子束？ 什麽是静态SIMS？为什么说在静态SIMS分析中得到真正表面单层信息？ SIMS识谱方法 几种质量分析器原理 定量分析方法 五、晶体结构分析 晶体点阵及其倒易点阵。 表面重构概念。 结构因数表达式及其物理意义。 干涉函数表达式，式中各符号的物理意义。主峰区的高和宽与哪些因素有关？ 劳厄方程的物理意义。 爱瓦尔德图解作图法及物理意义。 获得衍射斑点的充要条件。 计算结构因子。 晶体尺寸效应对衍射图形的影响。 10．衍射的方向、强度和斑点形状分别与哪些因素有关？ 11．衍射仪的构成及工作原理。 12．利用X射线双晶衍射仪评价晶体质量，确定晶格常数，测定 异质外延层晶格匹配情况，三元混晶组分及超晶格参数的基本原理。 RHEED原理，及其在MBE中的应用。 六、综合 电子、离子和光子与表面相互作用的物理过程。作为一次探束的特点与区别。 了解各种分析仪器的工作参数和性能指标，了解它们的物理意义及一般使用范围。 对学过的部分分析技术进行总结比较，如： 对几种检测元素方法(电子探针、AES、SIMS)的原理、检测灵敏度、信息深度及应用范围等进行比较。 重点：〇 基本原理、特点、用途及局限性(适用范围)。 〇 会根据需要了解的样品特性，知道应采用哪种或哪几种分析手段。 〇 由测试结果会正确提取信息。