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第2章 集成电路
2.1 理想本征集成双极晶体管的EM模型
集成电路设计概论 所谓理想本征晶体管的埃伯斯-莫尔模型，是
集成电路设计概论
指在分析其性能时不考虑寄生效应情况下建立的模
型。
西安交通大学微电子学系
西安交通大学微电子学系
实际集成电路中的双极晶体管为四层三结结构
刘润民
刘润民 ，如图2.1所示，各个电极均从表面引出，且各结
面积不同。通常在分析晶体管的直流特性时可以简
第2 章
第2 章 化为图2.1(a)中虚线所示的一维结构。
在图2.1中，PNP管为寄生晶体管，在实际电路
集成电路中的晶体管及其寄生效应 中此寄生晶体管是否起作用，要看该管的发射结偏
集成电路中的晶体管及其寄生效应
置电压而定(因为该管的集电结总是反偏的)，通常
两种情况均有。
CH2 集成电路中的晶体管及其寄生效应 1 CH2 集成电路中的晶体管及其寄生效应 2
S C E B 下图是晶体管的四种工作状态，由图可见当
N+ N+ NPN晶体管工作于饱和区或反向工作状态时，集
P+ P P+
N-epi 电结均处于正向偏置，此时寄生PNP管的发射结
+ N+-BL
N -BL 处于正向偏置，因而PNP管处于正向工作状态，
P-SUB
于是就有电流流过C-S结，这样就会严重影响集
(a)
E
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