数字逻辑(第3章).pptVIP

二、二极管开关的动态特性 产生反向恢复过程的原因： 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。 在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器，称之为带缓冲器的CMOS门电路。 CMOS反相器输出高低电平，输出电阻是一样的。 3、漏级开路门电路（OD门） 漏级开路门使用时，必须外接上拉电阻。 A B F RL的计算方法 OD门输出全为“1”时： IOH —T5集电极漏电流 VOH=VDD –IRLRL =VDD–(nIOH+mIIH)RL nIOH+mIIH RLmax= VDD–VOHmin 并联OD门个数 VOH “1” “1” “1” IOH IRL n个 VDD RL IIH m个IIH OD门输出中有一个为“0”时： VOL=VDD-(IOL-m’IIL)RL 当VOL=VOLmax 时： RLmin= IOLmax-m’IIL VDD–VOLmax VOL “0” “1” “1” IOL IRL n个 VDD RL IIL m’个IIL 3 .CMOS传输门 C VDD v I v O T P T N C s d TG v I v O C C 符号 ①C＝0、 ，即C端为低电平（0V）、 端为高电平（＋VDD）时，TN和TP都不具备开启条件而截止，输入和输出之间相当于开关断开一样。 ②C＝1、 ，即C端为高电平（＋VDD）、 端为低电平（0V）时，TN和TP都具备了导通条件，输入和输出之间相当于开关接通一样，vo＝vI。 CMOS模拟开关 　 CMOS模拟开关：实现单刀双掷开关的功能。 　 C = 0时，TG1导通、TG2截止，uO = uI1； C = 1时，TG1截止、TG2导通，uO = uI2。 4. CMOS三态门 1 1 A EN T P2 T P1 T N1 T N2 A EN Y +V DD (a) 电路 (b) 符号 ①EN=1时，TP2、TN2均截止，Y与地和电源都断开了，输出端呈现为高阻态。 ②EN=0时，TP2、TN2均导通，TP1、TN1构成反相器。 可见电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态，是一种三态门。 讨论题：CMOS门电路多余引脚的处理。 将2输入的CMOS逻辑门转换成CMOS反相器，其中的一个引脚多余，请分析以下4种处理方法的合理性。 Z ＆ X Z 1KΩ VDD ＆ X 1KΩ Z X ≥1 悬空 Z X ≥1 (a) (b) (c) (d ) 结论：CMOS门电路多余引脚不能悬空；输入引脚接一电阻到地相当于输入低电平。 输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。 三极管的开关特性 ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UIL0.5V uo=+VCC ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V Q 2 u i i B e R b b i C ( mA) 直流负载线 V CC R c 0 + V CC i C u o 工作原理电路 输出特性曲线 80 μ A 60 μ A 40 μ A 20 μ A i B =0 0 U CES V CC u CE (V) 0 0.5 u BE ( V ) 输入特性曲线 i B ( μ A ) Q 1 Q R c c 饱和区 截止区 放 大 区 ②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： ①ui=1V时，三极管导通，基极电流： 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： uo=VCC=5V ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： uo＝UCES＝0.3V TTL反相器 　　TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管—晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。 　　TTL电路的基本环节是反相器。 　　简单了解TTL反相器的电路及工作原理，重点掌握其特性曲线和主要参数（应用所需知识）。 * 第三章 门电路 1.半导体二极管门电路 2. CMOS门电路 3. TTL门电路 教学