集成电路技术（工艺）-微电子实验教学中心-西安电子科技大学.pptVIP

集成电路制造技术 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 一、集成电路技术发展历史 一些关键的半导体、微电子、集成电路技术（工艺） 1918年 柴可拉斯基晶体生长技术--CZ法/直 拉法，Czochralski, Si单晶生长 CZ Silicon crystal growth – dismounting a 200mm crystal from the puller 一、集成电路技术发展历史 1925年 布里吉曼晶体生长技术，Bridgman， GaAs及化合物半导体晶体生长 1947年 第一只晶体管（点接触式）， Shockley、Bardeen、Brattain（Bell实验室） 一、集成电路技术发展历史 第一只点接触Ge晶体管 一、集成电路技术发展历史 点接触晶体管 1947年贝尔实验室发明； 当时对原理不清楚，可属于pnp结构。 第一只晶体管的发明者及1956年诺贝尔物理学奖获得者 第一只晶体管的发明者及1956年诺贝尔物理学奖获得者 一、集成电路技术发展历史 1949 pn结,Shockley 1952 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,Welker 1952 扩散, Pfann 1954 第一个硅晶体管，Teal 1957 光刻胶, Andrus 1957 氧化物掩蔽层，Frosch和Derrick 一、集成电路技术发展历史 1957 CVD（化学气相淀积）外延晶体生长技术—薄膜， Sheftal、Kokorish及Krasilov, 改善器件性能、制造 新颖器件 1957 异质结双极晶体管（HBT）,Kroemer（2000年诺贝 尔物理奖） 1958 离子注入,Shockley 1959 第一个（混合）集成电路,Kilby（2000年诺贝尔物 理奖）,由Ge单晶制作--1个BJT、3个电阻、1个 电容 1959 第一个单片集成电路, Fire Child公司的Noyce ,6个器 件的触发器。 第一个（混合）集成电路及其发明者 Kilby 第一个单片集成电路及其发明者Noyce 一、集成电路技术发展历史 1960 平面化工艺，SiO2层（光刻）→窗口（扩散） →pn结 1960 第一个MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体 管)，Kahang及Atalla 1962 制造出包含12个晶体管的小规模集成电路 1963 CMOS(互补型金属-氧化物-半导体场效应晶体 管)，Wanlass及萨支唐，逻辑电路 1967 DRAM(动态随机存储器)，Dennard 1969 多晶硅自对准栅极，Kerwin，有效降低寄生效应 一、集成电路技术发展历史 1969 MOCVD（金属有机化学气相淀积）， Manasevit及Simpson，GaAs外延 1971 干法刻蚀，Irving，CF4-O2 1971 分子束外延（MBE），极薄薄膜（原子级）、 精确控制, CHO等 1971 微处理器（Intel4004,3mmX4mm，含2300 个MOS管，10μm工艺），Hoff 一、集成电路技术发展历史 1982 沟槽隔离，Rung，隔离CMOS（取代其它的绝缘 技术） 1989 化学机械抛光，Davari，各层介电层全面平坦化 （的关键） 1993 铜布线，铝在大电流下有严重的电迁移现象 1999 年的 0.18微米工艺、2001年的0.13微米、2003年的 90纳米（0.09微米），2005年的65纳米（0.065微 米） 1960′s的25mm(1 英寸）， 1970′s的51mm(2英寸）， 1980′s的100mm(4英寸）， 1990′s的200mm(8英寸）， 2000的 300mm(12英寸），现在400mm(16英寸) 二、集成电路技术发展 的规律与趋势 Drs. G. Moore S. M. Sze 微电子技术的