第十三章 数字信号处理2.pptVIP

第3章 数字电路 学习要求 熟悉CMOS逻辑门的构成和特性参数 了解TTL逻辑门的构成和特性参数 了解有关数字电路电气方面的基础知识，以便构建出符合实际要求的电路和系统 了解CMOS电路电气特性的几个指标 熟悉噪声容限、扇入、扇出等含义 掌握影响速度的两个因素：转换时间与传播速度 理解三态门、传输门、漏极开路门等工作原理 学习内容 逻辑信号与门电路 逻辑系列 CMOS逻辑 CMOS电路的电气特性和动态电气特性 三态门、传输门、漏极开路门 双极逻辑 晶体管-晶体管逻辑 TTL系列 目的 掌握有关数字电路电气方面的坚实的工作知识，构建出实际电路和系统 作业 3.15，3.19，3.36，3.54，3.61，3.89，3.92 思考 1、普通门能进行线与连接吗？ 2、不同的CMOS逻辑门不用的输入端的处理？ 3、不同的TTL逻辑门不用的输入端的处理？ 4、三态门与漏极开路门结合应用举例中，如何保证使能端只能有一位输入而同时禁止其它位 3.1 逻辑信号与门电路 数字逻辑（digital logic） 将物理量实际值的无穷集映射为两个子集，对应于2个可能的数或逻辑值（logic values）：0和1， 优点：隐藏了模拟世界的缺陷。 通过采用开关代数、表及其他抽象方法来描述电路中简单的0和1运算，就可以对数字逻辑电路进行功能上的分析与设计。 通常，称逻辑值0或1为二进制数字（binary digit）或一位（b i t） 若应用中需要两个以上的离散值，可增加位数，n位数可代表2n个不同的组合值。 关于0和1、高和低 低：代数上表示低电压范围的信号，解释为逻辑0； 高：代数上表示高电压范围的信号，解释为逻辑1。 正逻辑（positive logic） 用0对应低、1对应高 负逻辑（negative logic） 1对应低、0对应高（不太常用） 3.2 逻辑系列 设计电子逻辑电路的方法有很多 2 0世纪3 0年代贝尔实验室开发的第一部电控逻辑电路是基于继电器逻辑的 2 0世纪4 0年代中期的首部电子数字计算机（ E n i a c）是基于真空管的逻辑电路。 2 0世纪5 0年代末期发明的半导体二极管和双极结型晶体管 2 0世纪6 0年代发明的集成电路（integrated circuit, IC）将二极管、晶体管以及其他元件都制作在一块芯片上， 2 0世纪6 0年还出现了第1个集成电路逻辑系列。 2 0世纪6 0年首先出现的T T L 2 0世纪9 0年代，T T L已基本被C M O S所取代 2 0世纪8 0年代中期开始， M O S电路，尤其是互补M O S（complementary MOS）的进步，大大提高了其性能和通用性 新的大规模集成电路，如微处理器和存储器，大多采用C M O S电路 采用T T L逻辑系列设计的小、中规模应用场合，现在则也有可能采用C M O S器件，C M O S电路能实现同样的功能，而速度更高、功耗更低 C M O S电路已占领了绝大部分世界I C市场 C M O S逻辑是最容易理解并最适合商业数字逻辑技术的逻辑 3.3 CMOS逻辑 电平：电压等级的高或低 高电平：+5v (TTL逻辑理想情况下） 低电平： 0v（TTL逻辑理想情况下） 正逻辑：高电平用1表示，低电平用0表示 典型的C M O S逻辑电路在5 V电源下工作， MOS晶体管 M O S晶体管可被模型化为一种3端子压控电阻器件，将输入电压加到一个端子上，去控制其他两端子间的电阻 工作状态 电阻特别高（即晶体管“断开”状态） 或特别低（即晶体管“导通”状态） M O S晶体管分类 n沟道型和p沟道型。 基本的C M O S反相器电路 N M O S和P M O S晶体管以互补的方式共用就形成C M O S逻辑 与非门”和“或非门” 扇入 在特定的逻辑系列中，门电路所具有的输入端的数目，被称为该逻辑系列的扇入 非反相门 CMOS“与或非”门AOI和“或与非”门OAI 3.4 CMOS电路的电气特性 CMOS电路的电气特性提供在很多场合下适用的工程设计容限（engineering design margins）—这是电路在最坏的条件下仍能正常工作的保证 有关CMOS电路的电气特性参数包括:逻辑电压电平、直流噪声容限、扇出、速度、噪声、静电放电、漏极开路输出、三态输出 CMOS稳态电气特性 ◇逻辑电压电平 正常条件下运作的C M O S器件，能确保产生的输出电压电平处在定义好的“低”和“高”电压范围内，而且能够在更宽的范围内识别“低”和“高”的输入电压电平 ◇直流噪声容限 是一种对噪声程度的度量，表示多大的噪声会使最坏输出电压被破坏成为不可识别的输入值 非负的直流噪声容限能确保：由输出所产生的低电压最高值，