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刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响-表面技术
第46 卷 第4 期 表面技术
2017 年4 月 SURFACE TECHNOLOGY ·143 ·
膜层材料与技术
刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响
1,2a,2b 2a,2b 2a,2b 2a,2b 1 3 2a,2b
郭婷 ，左潇 ，郭鹏 ，李晓伟 ，吴晓春 ，谢仕芳 ，汪爱英
（1.上海大学 材料科学与工程学院，上海 200072；2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所 a.中国
科学院海洋新材料与应用技术重点实验室 b.浙江省海洋材料与防护技术重点实验室，浙江 宁波
315201；3.江西省科学院 应用物理研究所，南昌 330029）
摘 要： 目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜（ta-C ）的影响，并进一步考察不同电
弧等离子体刻蚀时间对ta-C 薄膜结构的影响。方法 采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀
膜设备，进行不同等离子体刻蚀以及 ta-C 薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度，
使用椭偏仪表征薄膜厚度，原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度，拉曼光谱仪和XPS 表征薄膜结构，TEM
分析薄膜的膜基界面结构。结果 辉光刻蚀工艺中，作用的等离子体离子以低密度的 Ar 离子为主；而电弧
刻蚀时，作用的等离子体离子为高密度的Ar 离子和少量的C 离子，并且能够在基体表面形成约15 nm 的界
面层，并实现非晶碳膜（a-C ）的预沉积。随电弧等离子体刻蚀时间增加，ta-C 薄膜的 sp3 含量有所降低。
结论 相比于辉光刻蚀，电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C 薄膜。这主要是因为电弧刻蚀时，基体表面形成良好
的界面混合层，并预沉积了非晶碳膜，形成a-C/ta-C 的梯度结构，有助于增强膜基结合力。
关键词：四面体非晶碳膜；辉光刻蚀；电弧刻蚀；刻蚀时间；结构
中图分类号：TQ127.1 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2017)04-0143-07
DOI ：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.04.024
Effect of Etching Process on Growth and Properties of Tetrahedral
Amorphous Carbon Film
1,2a,2b 2a,2b 2a,2b 2a,2b 1
GUO Ting , ZUO Xiao , GUO Peng , LI Xiao-wei , WU Xiao-chun ,
3 2a,2b
XIE Shi-fang , WANG Ai-ying
(1.School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China; 2. a. Key Laboratory of Marine
Materials and Related Technologies, b. Zhejiang Key Laboratory of Marine Materials of Pr
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