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2017-08-10 发布于天津
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9,9′-联蒽薄膜的AFM和XRD研究

李建丰等：9，9-联蒽薄膜的AFM 和 XRD研究 9，9-联蒽薄膜的AFM 和 XRD研究李建丰，常文利，张春林，张福甲 (1．兰州交通大学数理与软件工程学院，甘肃兰州 730070； 2．兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州 730000) 摘要：利用常规的真空蒸发技术，在热氧化硅片的键的作用下，相邻的两层分子存在一定程度的交叠，岛衬底上制备了不同的衬底温度、蒸发温度和蒸发时间与岛相互连接构成岛的通道，最后形成薄膜。在衬底条件下的9，9-联蒽有机薄膜。用原子力显微镜对制温度为 50℃、蒸发温度为 180℃、蒸发时间为 60s时获备的9，9一联蒽薄膜形貌进行了观察，研究了 9，9-联得了具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜，其适蒽的生长模式，并讨论了其表面形貌及岛状晶核分布合作有机场效应晶体管的有源层。与生长条件之间的机理。同时，借助 X射线衍射仪分 2 实验析了薄膜的晶体结构。结果表明，在衬底温度为 50℃、蒸发温度为 180℃、蒸发时间为 60s时能够获得将单面抛光的P—Si(100)硅片洗净后，进行表面氧具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜，其适合作化。氧化的温度为 1lO0℃，干、湿氧交替氧化 60min，有机场效应晶体管的有源层。得到 SiO。的厚度为 300nm。将 9，9，_联蒽粉末放在关键词： 9，9-联蒽；表面形貌；生长模式；原子力显 GD-450A型高真空镀膜机的石英舟内，蒸发源和基底微镜间距为 15cm，用钨电阻丝加热石英舟，通过热传导加中图分类号： TN304．5 文献标识码：A 热石英蒸发皿，在真空度为 5×10 Pa的条件下制备文章编号：1001—9731I2010)08—1379—04 了不同沉积时间、不同衬底温度和不同蒸发温度的 9， 9 bianthracene／SiO ／Si薄膜。样品的制备条件如表 1 引言 1所示。有机功能材料及其应用是近年来一个崭新的研究表 1 样品的制备条件方向，它体现了化学、材料、物理、电子等学科的结合， Table1Preparationconditionforsamples 并逐渐形成一门新兴的交叉学科——有机电子学。有样品编号衬底温度 (℃) 蒸发温度 (℃) 蒸发时间(s) 机场效应晶体管 (organicfieldeffecttransistors，CIF— 1 25 180 6O ETs)是有机电子学中最重要的单元器件，由于其制备 2 5O 18O 6O 工艺简单、成本低和柔韧性好等优点，在有机显示器的 3 75 18O 6O 4# 100 18O 6O 有源驱动电路、环形振荡器的逻辑门、有机传感器、存 5# 5O 15O 6O 储器、智能卡、电子商标、电子纸等领域有着广阔的应 6