AlInN光电薄膜的研究进展.pdfVIP

· 132 · 材料导报：综述篇 2010年4月(上)第24卷第4期 AIInN光电薄膜的研究进展 芦 伟 ，徐 明 ，董成军 ，魏 屹 (1 四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室，成都 610068；2 中国科学院国际材料物理中心，沈阳 110016) 摘要 AIInN三元合金是优良的llI—V族氮化物半导体材料，具有优 良的光学和电学性能，在光电子器件应用 方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AIlnN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特 性等方面的研究，为AIlnN三元合金在光电方南的基础和应用研究提供 了重要参考。 关键词 AIInN薄膜 制备方法 特性 应用 中图分类号：0484 ResearchProgressinAilnN opt0electr0nicFilms LUWei，XU Ming ，DONGChengjun，WEIYi (1 IabforLow-dimensionalStructurePhysics，InstituteofSolidStatePhysics，SichuanNormalUniversity，Chengdu610068； 2 InternationalCenterforMaterialPhysics，ChineseAcademyofSciences，Shenyang110016) Abstract AlInN isoneofIII—V nitridesemiconductormaterialswithexcellentopticalandelectricalproperties， andhasvastpotentialinphotoelectronicdeviceapplication．Therecentstudiesonthegrowthmethods，crystalstruc— tures，surfacemorphologies，themr alcharacteristics，andoptoelectronicpropertiesofAIInN filmswerereviewedin detailinthisarticle，whichispromisingforexploringapplicableUI—V nitridesemiconductormaterialsinbasicand／or appliedoptics，electronics，andopto-electronics． Keywords AIInN films，growthmethods，properties，application AIInN薄膜生长主要有磁控溅射外延(MSE)、金属有机气相 0 引言 外延(MOVPE)和分子束外延 (MBE)3种方法。其中MSE A1一In．N是Ⅲ族氮化物半导体材料，一般 以直接带隙 法是最早用来生长 AlInN的方法，与另 2种方法相 比，具有 纤锌矿结构存在 ，其光谱覆盖了红外到紫外波段。In含量为 薄膜附着力强、沉积速率高、组分操控性好n ]、成本低廉等 l5 420 D-s3时，AIInN可与 GaN达到晶格匹配 ，因此可 优点。特别是 MSE允许在相对低的温度下生长薄膜从而避 以在GaN层上生长无应变 AIInN薄膜。同时，AIInN还是 免发生相分离，很适于AIInN生长。然而，与高温生长相比， 比A1GaN更优 良的光 电二极管材料。虽然 Al。Ino．N与 MSE还是很难在组分较大范围内生长出高质量 AlInN薄 AlGa一N具有相同的结构和带隙，但由于它与GaN晶格匹 膜，且容易残留氧杂质_1，并且该生长法还有导致表面粗糙 配，引入界面缺陷更少，所以Al。_8。In0．N更适合作GaN基 度增大等缺点。 LD