BST复合材料介电和储能性能影响.pdfVIP

助 材 料 2012年第14期(43)卷 界面改善对 P(VDF—CO—CTFE)／BST复合材料介 电 禾口储台邕性台邕影响 夏卫民 ，张志成 ，陈源清 ，曹从军 (1．西安理工大学 印刷包装工程学院，陕西 西安 710048； 2．西安交通大学 电子陶瓷与器件教育部重点实验室，陕西 西安 710049) 摘 要 ： 用溶胶～凝胶法合成 了钛酸锶钡 (BaSrTiO。， 乙烯一共聚一二氟氯乙烯 (P(VDF—CO—TrFE—CO—CFE))在 BST)陶瓷，获得 了粒径为 50nm 左右的高活性纳米陶 500MV／m的极化电场下，储能密度可达 13J／cm 。 瓷粉体 ，并通过硅烷偶联剂 (KH550)进行 了表面处理。 更值得关注 的是经拉伸后的聚偏氟乙烯一三氟氯 乙烯 将表面处理后 的BST粉末与含氟铁 电聚合物聚偏氟 (P(VDF—CO—CTFE))可 以成为低极性 的 Ot晶型 ，在 乙烯一三氟氯 乙烯 (P(VDF—CO—CTFE))采用 O一3方式 65OMV／m极化 电场下储能密度高达 25J／cm3引【。以 进行 了复合 。然后通过溶液流延法在石英 片上制备 了 上结果表明，与三元共聚物相 比，二元共聚物 P(VDF- P(VDF—CO—CTFE)／BaSrTi0。复合材料厚膜 ，并进行 CO—CTFE)具有更优 良的能量存储性能。 了淬火处理 。采用 XRD、TEM、TGA和 SEM 表征 了 众所周知，钛酸钡 (BaTiO。)、锆钛酸铅 (PZT)和钛 纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可 以有 酸铜钙 (CCTo)等铁 电陶瓷具有很高的介电常数 (e)。 效地作用于高介 电常数 BST陶瓷颗粒表面。KH550 1 根据储能密度计算公式：U 一 1e0￡r 可知，高e可以 处理后的复合材料具有更大的介 电常数 (e33)，更 厶 高耐 电场强度 (Eb270MV／m)和较低的损耗。界面 提高储能性能，因此人们常常将这些钙钛矿结构陶瓷 处理 同时可 以有效提 高复合材料 的饱和极化 强度 填入到聚合物中，获得高电学性能的聚合物 ／陶瓷复合 (P )，降低剩余极化强度 (P)，使其储能密度 (U )达 材料[9。 。然而，若不能处理好两相界面问题 ，陶瓷颗 6．8J／cm。。总体结果表 明，两相界面改善后的聚合 粒的填入反而会大大降低复合材料的耐电场强度。例 如 ，J．Robertson研究组报道了聚丙烯酸 ／钛酸钡复合 物 ／陶瓷复合材料在高储能密度领域 中具有广泛的应 用前景。 材料 ，虽然该材料具有较高的介 电常数 (e4o)，但其 关键词： 复合材料界面 ；聚偏 氟乙烯一三氟氯 乙烯 ；钛 击穿场强不到 8MV／m_1，所 以该复合材料 的储能密 酸锶钡 ：储能 度并不理想。除此之外 ，复合材料的电滞 回线 中剩余 中图分类号： TB332；TB324 文献标识码：A 极化值较大 ，说明该类材料为非线性 电学材料 ，其储能 1 文章编号 ：1001-9731(2012)14—1894—05 密度不适合用 U 一 1￡。￡E2计算 ]。因此先前报道的 厶 1 引 言