Ge15Ga10Te75薄膜的磁控溅射制备及性能的可控研究.pdfVIP

齐 磊 等: 薄膜的磁控溅射制备及性能的可控研究 　 GeGaTe １５ １０ ７５ ０４０１７ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０４Ｇ０４０１７Ｇ０６ GeGaTe薄膜的磁控溅射制备及性能的可控研究∗ １５ １０ ７５ , , , , , , , , 齐 磊 王国祥 李 双 沈 祥 徐培鹏 李 军 吕业刚 戴世勋 聂秋华 　 　 　 　 ( , ) 宁波大学 高等技术研究院红外材料及器件实验室 浙江 宁波 ３１５２１１ : , , 摘 要 采用磁控溅射法制备了 薄膜 研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响 并分析了在不同 　 　 GeGaTe １５ １０ ７５ ( ) . 、 、 、 热处理温度 退火后薄膜光学特性的变化 通过扫描电子显微镜 射线衍射仪 显微拉曼光谱仪 ２００~２８０℃ X , , 分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征 结果表明 次不同工艺下制 ３ , . ; 备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小 且均是非晶态 沉积态薄膜的短波截止波长均在 １ m左右 当退火温度 μ ot p ( ) ( ) , ( ) , Ta 大于薄膜的玻璃转化温度 Tg 时 薄膜的光学带隙 Eg 随着退火温度的增加而逐渐减小 沉积态薄膜的光 , , , , 学带隙分别为 和 而在 退火后薄膜光学带隙分别降至 和 以上 次实 １．０５１．０６ １．０７eV ２８０℃ ０．３８０．４２ ０．４５eV ３ , , . 验结果表明 不同工艺下制备的GeGaTe薄膜组分均匀可控 热学和光学参数较一致 １５ １０ ７５ : ; ; ; ; ; ; 关键词 　GeGaTe 磁控溅射 XRDSEM 透过光谱 Raman光谱 光学带隙 １５ １０ ７５ 中图分