La1-xSrx+MnO3薄膜的制备、微观结构及电性能.pdfVIP

· 1O · 材料导报 B：研究篇 2012年 9月(下)第26卷第 9期 La1--xSrMnO3薄膜的制备、微观结构及 电性能 高文娟 ，殷 明志，徐 驰 ，彭焕英 (西北工业大学理学院，西安 710129) 摘要 以无机盐为原料，采用溶胶一凝胶法在 si衬底上制备了La1一sMn((ISM())薄膜。XRD和 TEM测 试表明ISM()薄膜呈现纳米多晶菱形钙钛矿结构，薄膜的(012)、(110)晶面间距分别为0．38nm、0．28nm。SEM 分 析表明I．SM()薄膜表面平整、光滑致密。电学测试 I．a SrMnO。／si异质结的 }V特性曲线表明，随着 Sr掺杂量 的增加 ，同一偏压下的开启 电压变小，当电压大于 10V时，I．aI__SrMm ／si异质结的电流迅速增大，呈现传统的p-n 结特征。 关键词 溶胶 凝胶法 异质结 I．SM()／Si电性能 p-n结 中图分类号：O614．33 文献标识码：A Fabrication，M icrostructureandElectricalPropertiesofLal一 SrxM nO3Films GAOWenjuan，YINMingzhi，XU Chi，PENGHuanying (SchoolofScience，NorthwesternPolytechnicUniversity，Xi’an710129) Abstract FheI．a1 SrMnO3(LSMO)filmswerefahricatedonSisubstrateshyso[gelprocesseswithinor ganicsalts．Thefilmsexhibitedpolycrystaldiamondperovskite structure，and the interplanarcrystalspacingof (012)。(110)wereabout0．38nm，0．28nm respectivelycharacterizedbyX raydiffraction(XRI))andtransmissionelec tronmicroscopy(TEM )．Themorphologieswerefiat，smooth and denseanalyzedby scanning electron microscopy (SEM)．The，_ curvesofLSM()，／Siheterojunctionshowedthaiundersamebiasvoltage，theopeningvoltagede— creasedwiththedopingSrincreasing，andthecurrentincreasedrapidlywhenitwasexceeding10V astraditionalsemif conductorP—njunction． Keywords solgelprocess，heterojunction，I．SM()／Sielectricalproperties，p-njunction 0 引言 1 实验 LSMO是一种巨磁 阻稀土锰氧化物 ，是二价元素锶对 1．1 LSMO薄膜的制备 LMO进行A位掺杂的产物，晶体结构属钙钛矿型，能与钙钛 (1)将 0．6643gSrC()溶解于20mI冰醋酸中，必要时可 矿结构的铁 电氧化物相匹配 ，制备具有高度取 向性铁 电薄膜 加入适量浓 HC1至溶解。 异质结和巨磁阻薄膜口]。IsM()具有室温庞磁 电阻 (CMR) (2)将上述溶液加入到 3．8876gLa(NO。)。·6H。O中， 效应和较高的自旋极化率，可以大大提高器件的灵敏度 。由 调节体系pH值至 1．5，然后