MOCVD制备SiC：Al薄膜的导电类型调控研究.pdfVIP

陈小庆 等 ：MOCVD制备 SiC：A1薄膜 的导 电类型调控研究 MOCVD制备 SiC：A1薄膜的导电类型调控研究 陈小庆，孙利杰，邬小鹏 ，钟 泽，傅竹西 (中国科学技术大学 物理系 ，安徽 合肥 230026) 摘 要 ： 用 MOCVD方法在 Si基片上生长了Al掺 表面的氧化层 ，最后用氮气吹干并快速放入真空室。 杂的SiC薄膜 ，发现三甲基铝 (TMA)源载气流量与硅 2．2 样 品制备及性能表征 烷流量之比的大小，会决定薄膜的导电类型。用 XPS 反应气 体为丙烷和硅烷 ，掺 杂源为三 甲基铝 方法测试样品后 发现，TMA 载气流量与硅烷 流量 比 (TMA)，由高纯氢气 (99．999 )作载气送人反应室 。 直接影响Al原子在 SiC薄膜 中的含量。AI含量在 反应使用 3步法0]，先低温 (1100℃)碳化 ，小流量通人 1．5 以下，Al原子在 SiC薄膜 中主要 以填 隙形式 丙烷 (2mL／min，5rain)，然后快速升温至 1350℃，小流 (Ali)存在，薄膜显示 出n型；而Al含量在 1．5 ～3 量通入硅烷 (8～30mL／min，20min)，生长一层缓冲 之间的时候 ，Al原子主要以替位 Si(Alsi)的形式存在 ， 层 ，然后加大反应气体流量 (丙烷 5mL／min，硅烷 15～ 薄膜显示出P型。继续增加掺杂源的流量 ，所得 SiC 80mL／min)，并且通人 TMA(由氢气载人，流量 2～ 薄膜结晶质量会变得较差，电阻也变得较高。 10mL／min)，生长时间为 60min。样品的XRD采用 日 关键词： 3C-SiC；SiC：Al；MOCVD；导电类型 本理光公司的D／MAX—RA型旋转 Cu靶 12kW 的X 中图分类号： 0484 文献标识码：A 射线衍射仪测量。采用 ESCALABMK Ⅱ型 XPS能 文章编号 ：100卜9731(2010)O7—1271一O3 谱仪 (元素检测极限为 0．1 )进行成分分析 。霍尔效 应测量采用 四探针 VanderPauw方法在室温下完成， 1 引 言 直流电磁铁提供 的磁场为 0．35T。 SiC作为一种典型的宽禁带半导体材料 ，具有高 3 结果与讨论 的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性 ，在高频 、大 功率、耐高温 、抗辐射等电子器件方面有着巨大的应用 3．1 竞位外延理论 潜力。然而，SiC单 晶价格昂贵，国内虽已实现 了 SiC 在利用外延生长实现掺杂的研究中，Larkin__4提 单晶材料的生长[1]，但高质量的SiC单晶仍需进 口，大 出“竞位外延”SiC薄膜生长的掺杂控制技术。它能有 面积衬底还难 以得到。这就促使人们探讨在 Sj衬底 效地延伸n和 P型 CVDSiC外延层 的掺杂范围，并提 上生长 SiC薄膜的方法[2]。一方面，大面积的 Si衬底 高 CVD掺杂外延层生长 的重复性。竞位外延是基于 容易得到 ，且成本低廉 ；另一方面 ，si衬底上异质外延 适 当调整生长反应室气体源中Si原子和 C原子的比 SiC可促使 SiC与 Si工艺相结合 ，制备 出Si基器件， 例 Si／C来有效控制杂质进入 SiC晶格格点的掺杂控 适应大规模集成 电路 的需要 。为 了实现 SiC的器件 制技术 。所竞争的格点位置是位于SiC晶体活跃生长 化，一般对其掺杂 ，制备出n型和 P型并进一步制造 出 表面上的碳格点位置或硅格点位置 。 pn结。通常认为ⅢA族元素 Al掺入 SiC薄膜会形成 竞位外延模型基于 SiC外延生长过程中A1原子 一 种离化能为 0．2eV 的浅受主L