MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率.pdfVIP

壁 垩笠! 堡堕 型! ! 塑塑堂壁 堡壹 ：兰 皇 MOCVD生长温度控制 P型 InGaN形貌和 电学特性提高LED光功率 韩 军，邢艳辉 ，邓 军，朱延旭 ，徐 晨 ，沈光地 (北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 100124) 摘 要 ： 利用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD) 性 ，作为比较，有和没有 p-InGaN接触层 的LED也被 技术在蓝宝石衬底上生长 了InGaN ：Mg薄膜 ，通过 研究。 改变外延生长温度优化 P型 InGaN ：Mg表面形貌和 2 实 验 电学特性。在 800℃，InGaN 的空穴浓度为 1．9x10” ClTI ，电阻率较低 ，通过原子力显微镜观察到粗化 的 实验样品 InGaN：Mg生长系统采用 Veeco公司 样品表面有很多圆丘，其均方根粗糙度是所有样 品中 的D180型金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)设备 。 最高的，综合粗化的表面：和优化 电学特性的P—InGaN 三 甲基 镓 (TMGa)、三 甲基 铟 (TMIn)、二 茂 镁 接触层的 LED光功率提高 23 。 (Cp2Mg)和蓝氨 (NH。)分别用作 Ga、In、Mg和 N源。 关键词 ： Mg掺杂 InGaN；金属有机物化学气相淀 在 1100℃去除样 品中的杂质后降温到 535℃，生长厚 积 ；原子力显微镜；X射线双晶衍射 度为 25nm 的GaN缓冲层 ，然后升温到 1080℃左右生 中图分类号： TN304 文献标识码 ：A 长厚度为 2m 的本征 GaN，再降温生长 240nm 的 P 文章编号 ：1001—9731(2011)07—1227—03 型 IriGaN ：Mg外延材料 ，在生长 InGaN：Mg过程 中 1 引 言 控制 TMIn摩尔流量和 Cp。Mg流量不变，样品A、B、 目前采用 GaN材料制备 的发光二极管 (LED)已 C和 D 的外延 生长 温度分 别为 760、780、800和 经商业化生产 ，但是对 GaN材料和 LED的研究仍在 820℃ 。 一 直进行，研究重点是提高 GaN材料质量和 LED的 在这项研究中，样品采用 BEDE公司的QC2oO型 量子效率。LED 的亮度取决于有源区的内量子效率 X射线双晶衍射 (DcXRD)测试 ，对样品(0002)面做 ∞一 和光提取效率。受光提取影响的外量子效率 ，常规 2联动扫描。利用 Hall测试系统分析其 电学特性。 LED仅为百分之几口]，主要原 因是 GaN折射率很高 采用 Veeco公司生产的NanoscopeⅢa型原子力显微 (约为 2．5，临界角约为 23．5。)，这使得有源 区发 出的 镜 (AFM)观察 InGaN ：Mgfilm薄膜的表面形貌 。 光有大部分不能出射到空气中，而是要经历多次 内反 射 ，直到被 LED吸收，另外还加重了器件 的散热问题 ， 3 实验结果与讨论 进而影响器件的内量子效率。因此，提高光提取效率 3．1 光学特性 主要考虑是使入射角大于临界角的光线能够重新 回到 首先通过 DCXRD分析 了材料晶体质量 ，图 1分 临界角内并产生 出射 。为了提高光的提取效率，研究 别显示 了A、B、c和 D4个样品(002)面的DCXRD衍 微结构