MoO3微纳米片的简单制备及其光致发光性能.pdfVIP

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2017-08-10 发布于天津
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MoO3微纳米片的简单制备及其光致发光性能

钟明龙 : 微纳米片的简单制备及其光致发光性能 MoO３０３１３９文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０３Ｇ０３１３９Ｇ０５ MoO３微纳米片的简单制备及其光致发光性能∗ , 钟明龙１２ ( , ; , ) １．江西理工大学工程研究院江西赣州３４１０００２．华南理工大学材料科学与工程学院广州５１０６４０ [ ] １６ : 摘要采用简单热氧化蒸发沉积法在玻璃基 , 　　 ITO 如 zhou等在约１１００℃真空条件下通过热蒸发 [ ] １７ . 片上制备了大面积微纳米片制备出的微纳米 “ ” , MoO 在基片制备了剑状纳米带等３ Mo Si MoO３ Ban , 、片具有良好晶体结构其长度宽度和片层厚度分别可 , 在空气气氛下利用红外辐射加热蒸发Mo片至７００~ , ; [ ] 达和约微纳米片沿方向 . １００１~５ m １００nm ００１８５０℃获得 MoO３纳米带本文开发出了一种非常简 μ , 生长这是因为晶体各方向键合能的不同而具有不同 . 单的电热板制备大面积 MoO３微纳米结构的工艺该 , . 的生长速度其形成过程遵循气固生长机制光致发、、Ｇ工艺设备简单成本低廉产率高且产物结晶性能良光谱显示室温下微纳米片同时具有紫光发射 , 、 MoO３好可在空气气氛无需催化剂条件下大面积制备、 , 峰蓝光发射峰和绿光发光带发射光强度随氧化沉积 MoO３微纳米结构. , , 温度升高而增大这是由于温度升高微纳米片缺陷增