pH值对聚合物前驱体法制备WO3薄膜光电性质的影响.pdfVIP

· 20 · 材料导报B：研究篇 2011年 7月(下)第25卷第 7期 pH值对聚合物前驱体法制备WO3薄膜光电性质的影响 张姝娟，李 洁，李文章，陈启元 (中南大学化学化工学院，长沙 410083) 摘要 以偏钨酸铵为钨源，聚乙二醇 1000为配位聚合物合成了前驱体溶胶 ，并用浸渍提拉 法在 FI、()导电玻 璃上制备了w()。薄膜，研究了不同pH值对w()。薄膜结构和光电性质的影响。实验结果表明，降低I)l{值有利于提 高溶胶的稳定性；不同pH值条件下制得的薄膜均为立方晶相，且具有不同的颗粒尺寸；在 500W 氙灯照射下，pH一 2．8时，颗粒尺寸为 60nm．样品的光电流密度达到最大。 关键词 {w()薄膜 聚合物前驱体 光电化学 中图分类号：O614；TB383 文献标识码：A EffectofpH on PhotoelectrochemicalPropertiesofTungstenTrioxideFilms PreparedbyPolymetricPrecursorM ethod ZHANGShujuan，LIJie，LIWenzhang，CHENQiyuan (CollegeofChemistryandChemicalEngineering．CentralSouthUniversity，C}langsha010083) Abstract W () filmswerepreparedonFTO glassbypolymetricprecursormethodusinganlmonium metatung stateastheprecursorandpolythyleneglycolasthestructure-directingagent．TheeffectsofpH ODmicrostructureall(I photoelectrochemicalpropertiesofW O3filmswereinvestigated．TheresultsindicatethatlowerpH valueishelpfulto improvethestabilityofcollosol，thefilmswithdifferentparticlesizespreparedatthedifferentpH vahlesarecubic W ()．Under500W xenonlampillumination，photocurrentdensityreachesthelargestvaluewhenpH一 2．8andparti clesizefor60nm． Keywords pH ，W () films，polymetricprecursormethod，photoelectrochemistry i氧化钨 (w()。)是一种过渡金属氧化物 n型半导体材 溶胶的稳定性及 WO 薄膜结构和光电性质的影响。 料 ，具有较小的禁带宽度 、良好的可见光响应等特点，因此在 1 实验 变色、光催化、传感和光电化学[1。领域备受关注。 当前制备j氧化钨薄膜的方法主要有：蒸发法¨4]『、溅射 1．1 WO3薄膜的制备 法 ]、溶胶一凝胶法 】、电子束沉积法、阳极氧化法 、电沉积 室温下，称取 9．49g偏钨酸铵 ((NH )HW () 法l7～等。由于其中很多方法技术复杂、工艺条件苛刻、成本 xH ()¨)溶解于二次去离子水 中，加入 4．75g聚乙一醇(PEG) 高昂、不易形成大面积膜 ，因此其应用受到限制 。溶胶一凝胶 1000，分别用氨水和硝酸溶液调节 pH值 。磁力搅拌 4I， 法制备材料具有工艺简单、成本较低、低温合成、高度化学均 6O℃水浴静置 24h