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Sapphire薄膜制备GaN纳米线
助 材 抖 2010年第6期(41)卷
氨化 Ga2O3/Pd/Sapphire薄膜制备 GaN纳米线
薛成山,郭永福 ,石 锋 ,庄惠照,刘文军,曹玉萍,孙海波
(山东师范大学 半导体研究所 ,山东 济南 250014)
摘 要 : 利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后 去除杂质及表面的自然氧化层,然后在室温下,依次将
氨化法,成功 的在 Sapphire衬底 上制备 出GaN 纳米 Pd和 Ga。O。薄膜溅射到衬底上 ,溅射时间分别为 20s
线。X射线衍射和 X射线光 电子能谱研 究显示合成的 和 90min,试验 中我们也 曾经尝试过几种不 同的溅射
纳米线具有六方纤锌矿 GaN结构。通过扫描 电子显 时间,但经条件优化后最佳溅射时间分别为 20s和
微镜 ,透射 电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察 90min。其次,将溅射制备 的GaO。/Pd样品放进管式
分析得 出GaN纳米线为单晶结构 ,其纳米线的直径约 炉,在流动的氨气气氛中氨化制备 GaN纳米结构。待
为 1O~60nm,长度达几十个微米 。室温下 以 325nm 炉温达到 950℃后 ,将置于石英舟上 的样品放入炉内
波长的光激发样品表面,发现 GaN 带边发光峰有较弱 恒温区中央。先通氩气 5rain以赶走管式炉中驻留的
的蓝移。最后简单讨论 了GaN纳米线的生长机制。 空气 ,流量为 500ml/min;然后通氨气进行氨化 ,流量
关键词: 纳米线 ;GaN;磁控溅射 ;单晶 ;钯催化 为 500ml/min,反应 15rain后改通氩气 5min以赶走炉
中图分类号 : TN304 文献标识码 :A 中的氨气,流量仍为 500ml/min。实验 中氨气 的流量
文章编号 :1001-9731(2O1O)06—0976—04 和氨化的时间是经多次实验对 比后取得 的最优组合 ,
氨化后我们发现氨化之后的样 品变成 了淡黄色 ,然后
1 引 言
对样品进行一系列测试与表征。
GaN是一种十分优异的宽禁带半导体 ,室温下的 利用扫描电子显微镜(SEM,HitachiS-570),透射
禁带宽度为 3.4eV,是制作蓝/绿光发光二极管、激光 电子显微镜 (TEM,HitachiH一800)和高分辨 电子显
二级管和大功率集成电路的理想材料n]。在过去的几 微镜 (HRTEM,JEoLJEM一2100)对纳米线 的形貌和
十年里,由于纳米材料在量子器件和开发纳米技术方 结构分别进行观察和选 区电子衍射分析 (SAED)。用
面的巨大应用和前景 ,纳米材料成为世界各国研究 的 X射线衍射仪 (XRD,RigakuD/Max2rBCuKa),能
热点口]。迄今为止,一些研究小组已应用碳纳米管 限 量弥散 X射线能谱仪 (EDX,PV29900)和 X射线光
制反应[3]、化学气相沉积_4]、弧光放 电 ]、金属催化 ] 电子能谱 (XPS,MicrolabMK IIMg源)对样 品的结
等方法制备出GaN纳米材料 。近年来笔者所在 的研 构、成分进行测量和分析;利用 RF一5301PC型荧光分
究小组试采用简单的溅射镀膜后氨气气氛下高温退火 光光度计研究样品的光致发光特性。
法,在不同的衬底上成功制备出GaN纳米线 ,研究结
3 结果与讨论
果表明中间层和衬底对纳米线形貌有很大的影响。因
此,本文尝试一种新奇 的路线 ,由Pd作催化剂以蓝宝 3.1 样品的表面形貌表征及性能
石为衬底制备出大量 GaN纳米
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