Sapphire薄膜制备GaN纳米线.pdfVIP

助 材 抖 2010年第6期(41)卷 氨化 Ga2O3／Pd／Sapphire薄膜制备 GaN纳米线 薛成山，郭永福 ，石 锋 ，庄惠照，刘文军，曹玉萍，孙海波 (山东师范大学 半导体研究所 ，山东 济南 250014) 摘 要 ： 利用金属元素钯作催化剂，采用磁控溅射后 去除杂质及表面的自然氧化层，然后在室温下，依次将 氨化法，成功 的在 Sapphire衬底 上制备 出GaN 纳米 Pd和 Ga。O。薄膜溅射到衬底上 ，溅射时间分别为 20s 线。X射线衍射和 X射线光 电子能谱研 究显示合成的 和 90min，试验 中我们也 曾经尝试过几种不 同的溅射 纳米线具有六方纤锌矿 GaN结构。通过扫描 电子显 时间，但经条件优化后最佳溅射时间分别为 20s和 微镜 ，透射 电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察 90min。其次，将溅射制备 的GaO。／Pd样品放进管式 分析得 出GaN纳米线为单晶结构 ，其纳米线的直径约 炉，在流动的氨气气氛中氨化制备 GaN纳米结构。待 为 1O～60nm，长度达几十个微米 。室温下 以 325nm 炉温达到 950℃后 ，将置于石英舟上 的样品放入炉内 波长的光激发样品表面，发现 GaN 带边发光峰有较弱 恒温区中央。先通氩气 5rain以赶走管式炉中驻留的 的蓝移。最后简单讨论 了GaN纳米线的生长机制。 空气 ，流量为 500ml／min；然后通氨气进行氨化 ，流量 关键词： 纳米线 ；GaN；磁控溅射 ；单晶 ；钯催化 为 500ml／min，反应 15rain后改通氩气 5min以赶走炉 中图分类号 ： TN304 文献标识码 ：A 中的氨气，流量仍为 500ml／min。实验 中氨气 的流量 文章编号 ：1001-9731(2O1O)06—0976—04 和氨化的时间是经多次实验对 比后取得 的最优组合 ， 氨化后我们发现氨化之后的样 品变成 了淡黄色 ，然后 1 引 言 对样品进行一系列测试与表征。 GaN是一种十分优异的宽禁带半导体 ，室温下的 利用扫描电子显微镜(SEM，HitachiS-570)，透射 禁带宽度为 3．4eV，是制作蓝／绿光发光二极管、激光 电子显微镜 (TEM，HitachiH一800)和高分辨 电子显 二级管和大功率集成电路的理想材料n]。在过去的几 微镜 (HRTEM，JEoLJEM一2100)对纳米线 的形貌和 十年里，由于纳米材料在量子器件和开发纳米技术方 结构分别进行观察和选 区电子衍射分析 (SAED)。用 面的巨大应用和前景 ，纳米材料成为世界各国研究 的 X射线衍射仪 (XRD，RigakuD／Max2rBCuKa)，能 热点口]。迄今为止，一些研究小组已应用碳纳米管 限 量弥散 X射线能谱仪 (EDX，PV29900)和 X射线光 制反应[3]、化学气相沉积_4]、弧光放 电 ]、金属催化 ] 电子能谱 (XPS，MicrolabMK IIMg源)对样 品的结 等方法制备出GaN纳米材料 。近年来笔者所在 的研 构、成分进行测量和分析；利用 RF一5301PC型荧光分 究小组试采用简单的溅射镀膜后氨气气氛下高温退火 光光度计研究样品的光致发光特性。 法，在不同的衬底上成功制备出GaN纳米线 ，研究结 3 结果与讨论 果表明中间层和衬底对纳米线形貌有很大的影响。因 此，本文尝试一种新奇 的路线 ，由Pd作催化剂以蓝宝 3．1 样品的表面形貌表征及性能 石为衬底制备出大量 GaN纳米