Si。N4／TiN复相陶瓷常温导电性研究.pdfVIP

助 材 料 2010年第12期(41)卷 Si。N4／TiN复相陶瓷常温导电性研究 张淑会 ，康志强 ，吕 庆 ，薛向欣。，陈红建 (1．河北理工大学 冶金与能源学院 河北省现代冶金技术重点实验室，河北 唐山 063009； 2．河北理工大学 资源与环境学院，河北 唐山 063009；3．东北大学 材料与冶金学院，辽宁 沈阳 l10004) 摘 要 ： 分析 了以高硅铁尾矿合成的 SN 粉 和高 2 实 验 钛渣为原料常压烧结制备 的SiN TiN复相陶瓷的常 温导电性，并对其进行放 电加工。研究结果表 明，初始 采用碳热还原氮化法，以高硅铁尾矿为原料合成 原料 中2O (质量分数)左右的Ti()加入量是决定材 实验用 si。N 粉 ，其制备过程详见文献[4]。Si。N 粉 料中TiN 能否形成导电网络的最低 Ti()。加入量，此 的主相为 s N (晶粒多呈等轴柱状或短棒状)，同时存 时材料 的 电阻率为 4．25×10 Q ·cm。烧 结温度升 在少量的SiNzO和 FeSi相 (如 图 1所示)，粉体的 高，材料的电阻率略有降低 。随放 电加 工速度的增加， 比表面积约为 185．28m ／kg，平均粒径约为 28．82ffm。 加工表面的粗糙度 明显增加 。 关键词 ： Si。N ／TiN；复相陶瓷 ；导 电性能；放 电加工 中图分类号 ： TQ174．75 文献标识码 ：A 文章编号：1()()l-9731(20l0)12-220604 1 引 言 陶瓷基复合材料的制备工艺通常是在陶瓷基体中 直接加入第二相的纤维、晶须等混合后进行烧结 。作 20／() 图 1 Si。N 粉末 的XRD 图谱 为第二相的增韧增强体 ，往往需预先制备后加入 ，这容 Fig 1XRD patternoftheSi3N4powder 易造成其在基体 中分布不均 ，或 与基体相容性差等问 题。原位合成技术制备复相陶瓷正是基于上述问题发 以高钛渣为原料提供材料烧 结过程 中所 需 的 展起来的具有突破性的工艺方法。该技术具有制备工 TiO ，其 主要组成 (质量分数)为 87．67 TiO 十 2．55 SiO + 1．95 AlO + 0．28 Ca()+ 1．48 艺简单 ，降低原材料成本，增强相细小且分布均匀 ，基 相与增强相界面相容性好等优 点[。另一方面，陶瓷 MgO+5．07 Fe。配料前 ，将高钛渣放入聚氨酯球磨 材料属于典型高硬度 、脆性材料 ，加工极其困难 ，这在 罐 中细磨至平均颗粒直径 75m。采用 YO。和 很大程度上限制 J，其推广应用。而放 电加工 (电火花 Al0。为烧结助剂 以提高烧结材料 的强度和韧性[5]。 切割)是当前加工导电陶瓷复合材料的一种有效手段 ， 各烧结试样的原料组成如表 1所示 (按括号 内的TiO 其与传统加工方法相 比具有成本低、效率高等特点 。 含量依据高钛渣中的TiO 含量计算得出)。 在现有的导电陶瓷基复合材料研究 中，绝缘基相 表 1 TiN／Si。N 导电陶瓷复合材料试样 的原料组成 主要包括 si3N 、SiMon、SiN O、ZrO 、BN等 ，导 电相 (质量分数 ， ) 主要为TiN 、TiC、TiB2、MoSi、Mo、W 等，其中以TiN Table1Theinitialraw materialcompositionsofthe 作为导 电相 的研究 较多 j。纯 Si。N 和 TiO。通过原 TiN／S