单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化.pdfVIP

· 28 · 材料导报B：研究篇 2016年 3月(下)第3O卷第3期 单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化 周 涛 ，刘 聪 ，陆晓东 ，吴元庆 ，夏婷婷 (1 渤海大学新能源学院，锦州 121000；2 中利腾晖光伏科技有限公司，常熟 215542) 摘要 首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太 阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为 目标，对热扩散工艺 和离子注入工艺进行了仿真研究 仿真结果表明，发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输 出特性产生显 著影响。当发射区表面浓度为5×10。cm ，结深为O．1ym时，太阳电池转换效率最高，可达2O．39％。若采用热扩 散工艺制备发射区，扩散温度范围为 825~850℃，扩散时间范围为 10~20min；若采用离子注入工艺制备发射区，当 注入剂量为 1×10 cm～，注入能量为 5keV时，退火温度范围为 850~875℃，退火时间范围为 5～l5min。 关键词 单晶硅 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 扩散 离子注入 转换效率 中图分类号：TM914．4 文献标识码 ：A DO1：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．06．007 EmitterStructuralDesignandProcessesOptimizationofM onocrystalline SiliconSolarCells ZHOU Tao ，LIU Cong ，LU Xiaodong ，WU Yuanqing ，XIA Tingting (1 SchoolofNew Energy，BohaiUniversity，Jinzhou121000；2 ZhongLiTalesunPhotovoltaic TechnologyCo．LTD，Changshu215542) Abstract First，theinfluencesofemittersurfaceconcentrationandjunctiondepthonP-typemonocrystalline siliconsolarcellSshort-circuitcurrent，open-circuitvoltage，fillfactorandconversionefficiencywerestudiedcompre— hensivelyandsystematicallybyusingTCAD semiconductordevicesimulationsoftware．AndthentOobtaintheoptimal emitterstructureparameters，thestudyon thethermaldiffusionprocessand ionimplantationprocesswasconducted bysimulation．Theresultsshowedthatemitterwithdifferentsurfaceconcentrationandiunctiondepthhasnoticeable effectonoutputcharacteristicsofsolarcells．W hentheemittersurfaceconcentrationwas5×10。。cm～ ，andthe unc— tiondepthis0．1 m，themonocrystallinesiliconsolarcellconversionefficiencycanbeashighas20．39 ．Ifthether— maldiffusionprocesswasusedforthepreparationoftheemitter，thescopeofthediffusiontemperatureis825—850 o