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曹伟伟 等 ：单晶硅炉用碳素材料 的硅化腐蚀研究 文章编号 ：1001—9731(2013)12-1709—04 单晶硅炉用碳素材料的硅化腐蚀研究 曹伟伟 。，朱 波。，赵 伟。，王永伟。，乔 琨。，张式雷 (1．天津工业大学 材料科学与工程学院，天津 300387；2．泰山体育产业集团有限公司，山东 德州 253600； 3．山东大学 材料科学与工程学院，碳纤维工程技术研究中心，山东 济南 250061； 4．青岛变压器集 团有限公司，山东 青岛 266109) 摘 要 ： 对单 晶硅炉用碳素材料 的硅化腐蚀后 的表 2 实验方法 面形貌及元素分布测试，研究不 同碳素热场材料的硅 化腐蚀性能。结果表明石墨内部延伸至表面的开气孔 2．1 实验材料 给熔融硅提供侵蚀扩散 的通道 ，加速石 墨硅 化破 坏 。 石墨热场材料由 日本东海碳素株 式会社 (Tokai) 硅化程度受 c／c复合材料 内部 纤维排布方 向的影响， 提供 ，型号为 G330型等静压石墨，c／c复合材料选用 沿纤维排布方 向液硅扩散速 率较快 ，垂 直于纤 维排布 日本 ACRoSS公司的AC200产 品。碳素材料的基本 液硅 的扩散速 率较 小 。随硅化 时间延长 ，c／c复合材 性能如表 1所示 。 料力学性能呈下降趋势。石墨材料的力学性能最初有 表 l 样品类型 所提 高，之后随着时间而下降。 Table1Samplestype 关键词 ： 单晶硅炉；碳素材料 ；硅化 ；纤维排布；液硅 样品 密度 (g／cm。)抗拉 强度 (MPa)纤维含量 ( ) 中图分类号 ： TU521．5；TB332；TQ219 AC200 1．7 98 40 文献标识码 ：A G33O 1．79 25．5 O D()I：l0．3969／i．issn．1OO1—9731．2013．12．008 AClOO型样品 内部短切碳纤维在 Xy平面内无 l 引 言 规杂乱排布 ，纤维基本垂直于 z向。AC2OO样 品为无 纬布沿 x 向和y向交替层铺 ，无 z向纤维。28NF样 高纯度 的碳素部件是高品质单 晶硅生产的必要条 品为 6K碳纤维编织成平纹布 ，再层铺制备 。3种 c／c 件 ，因此碳素材料是单 晶硅炉 内的重要组成部分 。在 复合材料纤维排布方式各有特点，在单晶硅炉热场 内 直拉单 晶硅过程 中，熔融硅容易飞溅而粘附在热场材 根据受力和热场传热情况进行选择 。其 中AC200的 料表面 ，根据文献可知 ，碳和硅之 间在超过 115O℃时 c／c复合材料纤维排布特点如图 1所示 。 便存在化学反应 ，单 晶硅 的生产温度在 1450℃，在此 条件下二者反应生成碳化硅 的吉布斯 自由能大约为 一 6lkJ]，这 意味着熔融硅液滴接触到碳素热场材料 将即刻发生反应 。 随着单 晶硅炉使用的次数增多 ，由熔融硅造成热 场材料 的破坏 日益严重 ，这主要 由于熔融硅腐蚀生成 碳化硅 的脱落污染以及碳素热场材料受到硅化侵蚀 ， 将大大缩短热场部件的使用寿命 。赵伟 曾做过有关单 晶硅高温石墨炉用碳素复合材料热场体 系的研究 ，并 图1 AC2OOc／c复