原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展。.pdfVIP

· 16 · 材料导报 A：综述篇 2012年 9月(上)第 26卷第 9期 原子层外延生长Ⅲ一V族化合物薄膜机理的研究进展 何晓岘，左 然，徐 楠 ，于海群 (江苏大学能源与动力丁程学院，镇江 212013) 摘要 介绍了用于外延生长Ⅲ一V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例，讨论 了 AIE生长Ⅲ一V族化合物的表面反应机理。GaAs的AIE表面反应机理主要有两种：一种是吸附质阻挡机理，即Ga一 (CH3)。在表面发生热解，最终Ga(CH3)(一1或2)在表面吸附，依靠Ga(CH3) 中CH3的空间位阻效应，表面反 应 自动停止；另一种是选择性吸附机理，即Ga(CH。)。在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子，当表面完全覆盖一 层Ga原子 ，即表面Ga原子饱和，表面反应 自动停止。还介绍了AIE生长中的气相反应以及 H原子对AIE生长过 程的影响 。 t 关键词 原子层外延 GaAs 表面化学反应 ReviewofGrowthMechanism forⅢ-V CompoundSemiconductor byAtom icLayerEpitaxy HE Xiaokun，ZUO Ran，XU Nan，YU Haiqun (SchoolofEnergyandPowerEngineering，JiangsuUniversity，Zhenjiang212013) Abstract Theresearchprogressinthegrowthmechanism ofHI—V compoundsemiconductorbyatomiclayer epitaxy (ALE)iSreviewed，withemphasisonthesurfacereactionsofGaAs．Therearetwosurfacereactionmecha— nismsintheAIEgrowth ofGaAs：oneiStheadsorbateinhibitionmechanism ，theotheriStheselectiveadsorption mechanism．Intheadsorbateinhibitionmechanism，thepyrolysisofGa(CH3)3occursonthesurfacewhichresultsin theadsorptionofGa(CH3) ( 一 1or2)．Thesurfacereactionsstopautomaticallybecauseofthesterichindrance effectcausedbyCH3ligandinGa(CH3)．Intheselectiveadsorptionmechanism，thesurfacepyrolysisofGa(CH3)3 wil1resultintheadsorptionofatomicGa．W henthesurfaceissaturatedwithamonolayerofGa。thesurfacereactions stopautomatically．ThegasphasereactionsandtheeffectofatomichydrogeninGaAsALEarealsobrieflydiscussed． Keywords atomic1ayerepitaxy，GaAs，surfacereactions Ⅲ一V族化合物半导体材料在光电子器件 、大功率电子器 长表面每次只接触一种反应前体 ，每个生长周期只沉积一个 件和微波器件中具有重要 的应用价值。金属有机物气相外 原子层厚度，因此薄膜的生长十分均匀l2一 。 延(MOVPE)是生长各种Ⅲ一V族化合物薄膜 (如 GaN、GaAs 与MOVPE不同，