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原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展。
· 16 · 材料导报 A:综述篇 2012年 9月(上)第 26卷第 9期
原子层外延生长Ⅲ一V族化合物薄膜机理的研究进展
何晓岘,左 然,徐 楠 ,于海群
(江苏大学能源与动力丁程学院,镇江 212013)
摘要 介绍了用于外延生长Ⅲ一V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论 了
AIE生长Ⅲ一V族化合物的表面反应机理。GaAs的AIE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga一
(CH3)。在表面发生热解,最终Ga(CH3)(一1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3) 中CH3的空间位阻效应,表面反
应 自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH。)。在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一
层Ga原子 ,即表面Ga原子饱和,表面反应 自动停止。还介绍了AIE生长中的气相反应以及 H原子对AIE生长过
程的影响 。 t
关键词 原子层外延 GaAs 表面化学反应
ReviewofGrowthMechanism forⅢ-V CompoundSemiconductor
byAtom icLayerEpitaxy
HE Xiaokun,ZUO Ran,XU Nan,YU Haiqun
(SchoolofEnergyandPowerEngineering,JiangsuUniversity,Zhenjiang212013)
Abstract Theresearchprogressinthegrowthmechanism ofHI—V compoundsemiconductorbyatomiclayer
epitaxy (ALE)iSreviewed,withemphasisonthesurfacereactionsofGaAs.Therearetwosurfacereactionmecha—
nismsintheAIEgrowth ofGaAs:oneiStheadsorbateinhibitionmechanism ,theotheriStheselectiveadsorption
mechanism.Intheadsorbateinhibitionmechanism,thepyrolysisofGa(CH3)3occursonthesurfacewhichresultsin
theadsorptionofGa(CH3) ( 一 1or2).Thesurfacereactionsstopautomaticallybecauseofthesterichindrance
effectcausedbyCH3ligandinGa(CH3).Intheselectiveadsorptionmechanism,thesurfacepyrolysisofGa(CH3)3
wil1resultintheadsorptionofatomicGa.W henthesurfaceissaturatedwithamonolayerofGa。thesurfacereactions
stopautomatically.ThegasphasereactionsandtheeffectofatomichydrogeninGaAsALEarealsobrieflydiscussed.
Keywords atomic1ayerepitaxy,GaAs,surfacereactions
Ⅲ一V族化合物半导体材料在光电子器件 、大功率电子器 长表面每次只接触一种反应前体 ,每个生长周期只沉积一个
件和微波器件中具有重要 的应用价值。金属有机物气相外 原子层厚度,因此薄膜的生长十分均匀l2一 。
延(MOVPE)是生长各种Ⅲ一V族化合物薄膜 (如 GaN、GaAs 与MOVPE不同,
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