原子环境对B-O键合特征影响的第一性原理研究.pdfVIP

· 132 · 材料导报B：研究篇 2014年6月(下)第28卷第6期 原子环境对 B—o键合特征影响的第一性原理研究 叶 飞 一，许斐范 ，刘金美 ，谭 毅 。 (1 大连理工大学材料科学与工程学院，大连 116024；2 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 ，大连 116024； 3 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室，大连 116024) 摘要 B和0是太阳能级多晶硅 中的主要非金属杂质，它们经常以B-O原子对的形式存在。利用第一性原理 计算方法，通过对比13-O对在真空、B2()3和硅中的键合状态，理解 si环境对B-O键合特征的影响。计算结果表 明， 在这3种原子环境中，0原子的s和P轨道对键合的贡献都比B原子的s和P轨道大得多。其中，在真空中主要是0 的2p轨道参与成键，而在氧化物和硅中O原子的2s轨道和2p轨道都参与成键。在硅 中，由于B-O间距较大，以及 与si键合导致B-O键合电子态密度的降低，使B-O对在硅中的结合强度低于在氧化物和真空中。 关键词 第一性原理 多晶硅 杂质 态密度 键合 中图分类号：0474 文献标识码：A First—principleStudyoftheEffectofAtomicEnvironmentonB—OBond YEFei一，XU Feifan ，LIU Jinmei，TAN Yi，，。 (1 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024；2 KeyLaboratoryofMaterials ModificationbyLaser，IonandElectronBeams，MinistryofEducation，DalianUniversityofTechnology，Dalian 116024； 3 KeyLaboratoryforSolarEnergyPhotovoltaicSystemofLiaoningProvince，Dalian116024) Abstract Boronandoxygenarethemajornon-metallicimpuritiesinsolar-gradepolysilicon，andtheyoftene_ xistintheform ofB-O pair．TounderstandtheeffectofsiliconenvironmentonB-Obindingstate，thebindingstates ofB-O pairinvacuum，oxide，andsiliconwerecomparedbythefirst—principlecalculations．Theresultsshow thatthe contributionofSandPorbitalsofoxygentothebondingstateisalwayshigherthanthatoftheboron．However，in B203andsilicon，2sand2porbitalsofoxygenaremainlyinvolvedinbonding，whileinvacuum，2porbitalofoxygen contributesmore．Insilicon，becausethet3-O spacingisrelativelylarge，andtheB-O electronicdensityofstatesfor thebondingisdecreasedbythebondingwiththesilicon，thebondingstrengthofB-Opairinsiliconislowerthanthose inB2O3andvacuum． Keywords first-principles，silicon，impurity，densityofstates，bonding 原子