图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究.pdfVIP

助 能 材 料 2010年第7期(41)卷 图形化 SOI衬底上侧 向外延生长 GaN研究 张 波 ，陈 静 ，魏 星 ，武爱民 ，薛忠营 ，罗杰馨 ，王 曦 。，张 苗 (1．中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 ，上海 200050； 2．中国科学院研究生院，北京 100049) 摘 要： 采用 MOCVD 系统 ，在 图形化 的绝缘体上 硅上面生长的GaN材料 ，侧 向外延生长 的GaN 材料 硅 (SOI：silicon—on—insulator)衬底 上侧 向外延 生长 了 的位错密度大幅度降低，其残余应力也相应的减小。 GaN薄膜。利用SEM、TEM和 Raman光谱对生长的 2 实 验 GaN薄膜的质量进行 了分析研究。研究发现，在 GaN 的侧向外延生长 区域 ，侧 向生长的GaN 能够完全合 实验采用上海新傲科技有限公司生产 的商业化 并，GaN薄膜 内的残余应力减小，穿透住错密度大幅 S0I晶片，顶层硅和埋层厚度分别为 (164±2)nm 和 度 降低 。 (111±3)nm，顶层硅 晶面为 (111)。通过标准 的光刻 关键词 ： 氮化镓 ；绝缘体上硅 ；侧向外延 和反应离子刻蚀工艺，顶层硅被刻蚀成菱形的硅岛，其 中图分类号i O782；O765 文献标识码 ：A 中菱形 的边长为 10#m，硅岛的间隔分别为 1或 3#m 文章编号 ：1001-9731(2010)07-1208—03 (如图 1所示)。 1 引 言 以GaN为代表的宽禁带直接带隙半导体材料，在 光电子器件领域有着广泛的应用前景 ，是国内外备受 重视的新型半导体材料口删 。由于难 以获得 GaN体 材料 ，GaN基 的材料 只能异质外延在其它衬底上 ，比 如蓝宝石、SiC和 si等 。近年来 ，Si材料优 良的物理性 能、高质量、低成本，使得在 Si衬底上生长 GaN材料 受到越来越多的关注[1。但 由于 Si与 GaN之间存在 巨大的晶格失配和热失配 ，在 Si上很难生长出质量很 好的GaN材料。然而 ，SoI(silicon—on-insulator)材料 的出现有望可以解决这一问题 。由于本身的特殊的3 层结构，在生长 GaN材料时可以视为一种柔性衬底材 料 ，从而可以更好地释放因热失配引起 的热应力[]2-17]。 另外 ，20世纪 90年代出现的侧 向外延技术，大幅 度减少了GaN材料 中位错密度。1996年，日本科学 家中村修二利用侧 向外延技术生长 GaN材料 ，制备了 寿命超过 lOOOOh的蓝色激光二极管，在世界上引起 了 图1 菱形图形化 SOI衬底光学显微镜示意图 巨大的轰动口 。利用体硅材料进行GaN侧向外延的 Fig 1 Opticalmicroscope imagesof diamonds pat— 研究工作很多人已经做 了大量的研究工作~19-223，然而 ， ternedSOIsubstrate SOI衬底上侧 向外延生长 GaN材料鲜有报道。相 比 采用 MOCVD工艺进行外延生长 ，分别采用三甲 于传统的侧向外延衬底制备技术，由于埋氧层的存在 ， 基镓 (TMGa)、三 甲基铝 (TMA1)作为 Ga和 A1的源 SOl衬底只需要一步简单的光刻就能实现，大大简化 物质，氨气 (NH。)作为氮的源物质，氢气 (H。)作载气 ， 了工艺步骤。与此同时，在S0I材料中，埋氧层可以作 使用卧式水平反应炉。首先在衬底表面生长约 400s 为一个反射层 ，从而可以减少光的吸收，大幅度地提升 (厚度约 4Onot)的高温 AlN插入层 ，生长温度 1090℃。 SOI基 GaN—LED的亮度 。 然后在 AlN缓冲层上外延生长 GaN外延层，