射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响.pdfVIP

娄建忠 等：射频功率对 RF—PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响 射频功率对 RF—PECVD法制备纳米硅 薄膜结构特征和光学特性的影响 娄建忠，李 钗，张二鹏，马 蕾，江子荣，王 峰，闫小兵 (河北大学 电子信息工程学院，河北 保定 071002) 摘 要 ： 利用射频等离子体增强型化学气相沉积 通过优化 PECVD工艺参数制得 nc—Si：H薄膜太 阳 (RF—PECVD)工艺，以 SiH 和 H 作为反应气体 源， 电池 ，在 AM 1．5光照条件下获得 了 6．2 的转换效 在石英衬底上制备 了氢化纳米硅 (nc-Si：H)薄膜 。其 率 。2012年，Banerjee等_l3利用 PECVD技术通过优 中衬底温度为 250℃，H 稀释 比为 99 ，反应压强为 化工艺参数在 高 的沉积速率下 制得 了 a—Si：H／ 133Pa和射频功率为 2O～6OW 。采用 a一台阶仪 、X射 Fie—Si：H／nc—Si：H 三 结太 阳 电池 ，获得 了 11．7 线衍射仪 (XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光 ～ 11．9 的稳定转换效率 。实验 中采用 13．56MHz 谱仪(FT—IR)和紫外一可见光分光光度计等对薄膜的结 的RF—PECVD技术通过对极板 间距 、衬底温度 、反应 构特征和光学特性进行 了测试研究。结果表 明，随着 压强、H 稀释 比和射频功率等工艺参数进行多次优 射频功率的增大，nc—Si：H薄膜 的沉积速率增加，晶 化 ，制备 了 nc-Si：H 薄膜。其 中，射频功率在 RF— 化率提高，晶粒尺寸增大和氢含量减小，同时薄膜的吸 PECVD制备 中对生长薄膜 的性能有较大影响。当射 收系数增强，光学带隙变窄，结构有序性增强和带尾态 频功率过低时，nc—Si：H 薄膜沉积速率较低 ，同时不 宽度减小 。 利于晶化；而当射频功率过高时，沉积速率随之增加， 关键词 ： RF-PECVD；De—Si：H 薄膜 ；结构特征 ；光 但 由于粒子获得的能量过高，其对衬底表面的刻蚀过 学特性 强 ，也不利于 nc—Si：H薄膜的晶化及均匀生长 。本文 中图分类号 ： 0484 文献标识码 ：A 研究了射频功率在 20～60W 下制备 的nc—Si：H薄膜 文章编号 ：1001～9731(2012)23—3329—04 的结构特征和光学特性，并对其机理进行 了定性分析。 1 引 言 2 实验方法 作为第三代薄膜太阳电池半导体材料，nc-Si：H 采用 RF—PECVD技术，以H 和 Sill 混合气体 薄膜在高效率、高稳定性太阳电池中具有潜在的应用 。 为反应 气体 源 ，制备 了 nc—Si：H 薄膜。为研 究 nc—Si：H薄膜是 由Si纳米 晶粒和晶粒界面组成的一 nc—Si：H薄膜的光学特性 ，实验 中选取了透光性较好 种纳米结构材料 ，其 晶粒尺寸为 3～6nm，一般晶态 比 的石英为衬底 。在制备 nc—Si：H 薄膜工艺优化过程 为 5O 左右。近年来 ，nc—Si：H薄膜所具有 的优异特 中，衬底温度选择 了 50、150、250和 350℃，反应压强 性 ，如光吸收系数强、光照稳定性高、光学带隙宽化 、量 尝试 了 8O、133和 200Pa，H 稀释 比R’(R’一H ／ 子限制效应等引起人们 的极大兴趣 ，特别是具有 明显 SiH +H )采用 了 98 、98．5 、99 和 99．5 4种 的量子限制效应 ，可通过控制薄膜 晶粒 的尺寸大小和 情况 。通过对制备的薄膜进行 Raman散射谱测试后 ， 密度分布来调节其能带特性，由此可拓宽其光吸收谱 最终确定了