射频反应磁控溅射法氧化钒薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

·26 · 材料导报B：研究篇 2013年 11月(下)第27卷第 ll期 射频反应磁控溅射法氧化钒薄膜的制备及其性能研究 陈颖超，刘彭义，唐振方，叶 勤 (暨南大学物理系，广州 510632) 摘要 采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜，在高纯N2环境 中，不同温度下 (350℃、 400℃、450℃、500℃)热处理60rain，发现当热处理温度为400℃时，获得具有相变特性的VO2薄膜，其红外光透光 率和电导率发生显著变化。薄膜相变温度为55℃左右，相变前后光透过率变化了13 ，电阻变化了1．8个数量级。 关键词 VO2薄膜 射频磁控溅射 相变 中图分类号：TB43 文献标识码 ：A StudyonV02ThinFilmsPreparedbyRFM agnetronSputteringandItsProperties CHEN Yingchao，LIU Pengyi，TANGZhenfang，YEQin (DepartmentofPhysics，JinanUniversity，Guangzhou510632) Abstract Vanadium oxidethinfilmsweredepositedonglasssubstratebyRFmagnetron sputteringatroom temperature．Thefilmswereannealedat350℃ ，400℃ ，450℃ ，500℃ for60minintheenvironmentofhighpurity N2，respectively．TheVOzthinfilmswiththepropertiesofphasetransitionwereobtainedwhentheheattreatment temperaturewas400℃．Theresultsshow thatthephasetransformationtemperatureofthefilm isabout55℃ ，the lighttransmittancechanges13 ，thechangeinresistanceis1．8ordersofmagnitudebeforeandafterthephasetransi— tion． Keywords VO2thinfilm，RFmagnetronsputtering，phasetransition 器分析了薄膜的表面形态、相变特性及薄膜晶体结构和价态 0 引言 组分等。 近几十年来，节能减排成为了人们关心的热点问题，智 1 薄膜样品的制备 能窗玻璃的开发应用具有重要的意义。在 68℃左右，体结 构的VO 会发生显著的可逆性相变，且在飞秒量级到纳秒量 选用载玻片为基底，切割成 20mm×20mm，先用丙酮 级 内就能完成从高温四方结构金属态到低温单斜结构半导 擦洗，再依次放在丙酮和酒精中各超声清洗 15min，用去离 体态的相变(Metal—to—insulatortransition，MIT)n ]，并且结 子水反复冲洗 3—4次，最后用氮气吹干玻璃片待用。采用 构相变的同时其物理性质如光透过率、光折射率、电导率等 的钒靶纯度 99．9 ，尺寸 056mm×5mm，基片与靶距离 都会发生可逆性突变l3]，VO。突出的相变特性使其广泛应用 5cm。室温下，本底真空抽至 3．0×10 Pa以下后 ，引入工 在光电开关4]、智能窗L5～、微测辐射热计的热敏层[6和光存储 作气体，氩气流量 2O．0sccm，反应气体氧气流量2．0sccm， 等_l7领域。但 目前VO 在热力学和晶体学上的相变